1.一种薄膜制备方法，其特征在于：该薄膜使用稀土掺杂Sb基相变薄膜材料制成，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为SbxAy；其中0

(b)制备稀土靶材，并将稀土靶材切割后贴置于Sb靶表面；

(c)对贴置稀土靶材的Sb靶进行磁控溅射，制备得到需要的薄膜；其中，所述薄膜中的稀土的掺杂量通过Sb靶表面贴置的稀土靶材的数量来调控；

在所述的步骤(b)中，稀土靶材切割成规则的扇形结构，并且扇形所对的圆心角的度数为30°；

在所述的步骤(c)中，磁控溅射时的衬底为SiO2/Si(100)基片；磁控溅射时的电源采用射频电源，且溅射功率为25-35W；磁控溅射采用的溅射气体为Ar气。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：所述Ar气的纯度为体积百分比99.999％以上，气体流量为15～45SCCM，溅射气压为0.10～0.35Pa。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：制备得到的薄膜的总厚度为

50nm。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：所述的稀土靶材和Sb靶材的纯度在原子百分比99.999％以上，本底真空度不大于1×10-4Pa。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：制备得到的薄膜的厚度通过磁控溅射的溅射时间来调控。