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专利号: 2015108833268
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种可测量偏置敏感栅中心横向偏导的横向分布三敏感栅金属应变片,包括基底,其特征在于:所述金属应变片还包括三个敏感栅,每个敏感栅的两端分别连接一根引脚,所述基底上固定所述三个敏感栅;

每一敏感栅包括敏感段和过渡段,所述敏感段的两端为过渡段,所述敏感段呈细长条形,所述过渡段呈粗短形,所述敏感段的电阻远大于所述过渡段的电阻,相同应变状态下所述敏感段的电阻变化值远大于所述过渡段的电阻变化值,所述过渡段的电阻变化值接近于

0;

每个敏感段的所有横截面形心构成敏感段轴线,该敏感段轴线为一条直线段,所述三个敏感栅中各敏感段的轴线平行并且位于同一平面中,敏感段轴线所确定平面内,沿所述敏感段轴线方向即轴向,与轴向垂直的方向为横向;每个敏感段上存在其两侧电阻值相等的一个横截面,取该截面形心位置并以该敏感段电阻值为名义质量构成所在敏感段的名义质点,各个敏感段的名义质点共同形成的质心位置为敏感栅的中心;

三个敏感栅中心在轴向上无偏差,在横向上有偏差;三个敏感栅之中心位于一条直线上,该直线与所述横向方向平行,三个敏感栅沿此直线方向从上至下分别称为上敏感栅、中敏感栅和下敏感栅;上敏感栅中心与中敏感栅中心的距离为Δy1,中敏感栅中心与下敏感栅中心的距离为Δy1,任意两个敏感栅之中敏感栅中心横向位置高者,其每一敏感段上每一点的横向位置高于另一敏感栅任一敏感段上任一点的横向位置;

上敏感栅、中敏感栅和下敏感栅的敏感段总电阻呈1:4:3的比例关系,上敏感栅、中敏感栅和下敏感栅的敏感段在相同的应变下敏感段的总电阻变化值也呈1:4:3的比例关系。

2.如权利要求1所述的可测量偏置敏感栅中心横向偏导的横向分布三敏感栅金属应变片,其特征在于:每个敏感段的所有横截面形状尺寸一致,取每个敏感段的轴线中点位置并以该敏感段电阻值为名义质量构成所在敏感段的名义质点,所述上敏感栅、中敏感栅和下敏感栅的敏感段总长度呈1:4:3的比例关系。

3.如权利要求1或2所述的可测量偏置敏感栅中心横向偏导的横向分布三敏感栅金属应变片,其特征在于:所述下敏感栅的引脚的下缘位于下敏感栅最下方敏感段的上方。

4.如权利要求1或2所述的可测量偏置敏感栅中心横向偏导的横向分布三敏感栅金属应变片,其特征在于:所述金属应变片还包括盖片,所述盖片覆盖于所述敏感栅和基底上。

5.如权利要求1或2所述的可测量偏置敏感栅中心横向偏导的横向分布三敏感栅金属应变片,其特征在于:所述敏感栅为丝式、箔式、薄膜式或厚膜式敏感栅。

6.如权利要求1或2所述的可测量偏置敏感栅中心横向偏导的横向分布三敏感栅金属应变片,其特征在于:所述基底为胶膜基底、玻璃纤维基底、石棉基底或金属基底。