1.一种复合多晶硅栅MOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有源区、漏区以及位于所述源区及漏区之间的沟道区；

第一栅介质层，覆盖于所述沟道区靠近源区的第一部分表面；

第二栅介质层，覆盖于所述沟道区靠近漏区的第二部分表面，且所述第二栅介质层的厚度大于所述第一栅介质层的厚度；

P+型多晶硅栅，结合于所述第一栅介质层表面；

N+型多晶硅栅，结合于所述第二栅介质层表面。

2.根据权利要求1所述的复合多晶硅栅MOS器件，其特征在于：所述沟道区靠近漏区区域形成有P+型掩埋层，以减小复合多晶硅栅MOS器件的关态电流。

3.根据权利要求2所述的复合多晶硅栅MOS器件，其特征在于：所述P+型掩埋层的掺杂离子为硼。

4.根据权利要求1所述的复合多晶硅栅MOS器件，其特征在于：所述P+型多晶硅栅及N+型多晶硅栅之间具有隔离层。

5.根据权利要求1所述的复合多晶硅栅MOS器件，其特征在于：所述第二栅介质层的厚度为所述第一栅介质层的厚度的1.1～2倍。

6.根据权利要求1所述的复合多晶硅栅MOS器件，其特征在于：所述P+型多晶硅栅与N+型多晶硅栅的宽度相等。

7.根据权利要求1所述的复合多晶硅栅MOS器件，其特征在于：所述P+型多晶硅栅的掺杂离子为硼，所述N+型多晶硅栅的掺杂离子为砷。

8.根据权利要求1所述的复合多晶硅栅MOS器件，其特征在于：所述衬底为硅衬底，所述第一栅介质层及第二栅介质层为二氧化硅层。

9.一种复合多晶硅栅MOS器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：步骤1)，提供一衬底，于所述衬底靠近欲制备漏区的区域进行离子注入，形成P+型掩埋层；

步骤2)，于所述衬底表面形成第一栅介质层，并对欲制备N+型多晶硅栅处的第一栅介质层进行加厚，形成第二栅介质层；

步骤3)，分别于沟道区上方的第一栅介质层上制作第一多晶硅，于沟道上方的第二栅介质层上制作第二多晶硅，且所述第一多晶硅及第二多晶硅之间形成有隔离层；

步骤4)，制作第二掩膜层，于所述第一多晶硅靠近源区的部分表面打开注入窗口，通过注入方向朝源区倾斜的离子注入工艺对所述第一多晶硅进行P型离子注入，形成P+型多晶硅栅；

步骤5)，制作第三掩膜层，于所述第二多晶硅靠近漏区的部分表面打开注入窗口，通过注入方向朝漏区倾斜的离子注入工艺对所述第二多晶硅进行N型离子注入，形成N+型多晶硅栅。

10.根据权利要求9所述的复合多晶硅栅MOS器件的制造方法，其特征在于：所述第二栅介质层的厚度为所述第一栅介质层的厚度的1.1～2倍。

11.根据权利要求9所述的复合多晶硅栅MOS器件的制造方法，其特征在于：步骤1)包括：

1-1)提供一衬底，于所述衬底表面形成第一掩膜层，并于靠近欲制备漏区的区域打开注入窗口；

1-2)基于所述注入窗口，通过离子注入工艺注入P型离子，形成P+型掩埋层；

1-3)去除所述第一掩膜层。

12.根据权利要求9所述的复合多晶硅栅MOS器件的制造方法，其特征在于：所述衬底选用为硅衬底，步骤2)包括：

2-1)采用氧化工艺于所述硅衬底表面形成第一氧化层，作为第一栅介质层；

2-2)于所述第一氧化层表面形成氧化阻挡层，并于欲制备N+型多晶硅栅处打开氧化窗口；

2-3)采用氧化工艺加厚所述氧化窗口内的第一氧化层，形成第二氧化层，作为第二栅介质层；

2-4)去除所述氧化阻挡层。

13.根据权利要求9所述的复合多晶硅栅MOS器件的制造方法，其特征在于：步骤3)包括：

3-1)沉积多晶硅，采用光刻-刻蚀工艺去除多余的多晶硅，并保留沟道区上方第一栅介质层表面的多晶硅，形成第一多晶硅；

3-2)沉积隔离材料，采用光刻-刻蚀工艺去除所述第二栅介质层表面的隔离材料，并至少保留所述第一多晶硅侧壁的隔离材料，形成隔离层；

3-3)沉积多晶硅，并采用光刻-刻蚀工艺去除多余的多晶硅，保留所述第二栅介质层表面的多晶硅，形成第二多晶硅。

14.根据权利要求9所述的复合多晶硅栅MOS器件的制造方法，其特征在于：步骤4)进行P型离子注入的倾斜角度为5～20度，步骤5)进行N型离子注入的倾斜角度为5～15度。

15.根据权利要求1所述的复合多晶硅栅MOS器件的制造方法，其特征在于：所述P+型掩埋层的掺杂离子为硼，所述P+型多晶硅栅的掺杂离子为硼，所述N+型多晶硅栅的掺杂离子为砷。