1.一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤如下：（1）将Al2(SO4)3、Na2SO4和B2O3原料按一定摩尔比例进行配料，经混合球磨后过120目筛得到混合料A；

（2）将混合料A、SiC粉料和造孔剂按一定质量比例进行配料，经混合球磨后过120目筛得到混合料B；

（3）采用干压法将步骤（2）得到的混合料B压制成形得到生坯；

（4）将步骤（3）得到的生坯干燥后置于电炉中，并以2～10 ⁰C /min的升温速率升温至

800～1200 ⁰C进行煅烧，达到煅烧温度后保温1～5h，之后随炉冷却；

（5）将步骤（4）得到的样品在超声波清洗器中反复清洗，清洗结束后将样品烘干即得。

2.根据权利要求1所述的一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述Al2(SO4)3、Na2SO4和B2O3原料的摩尔比为1:4:1/6。

3.根据权利要求1所述的一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述造孔剂可采用石墨粉、碳粉、淀粉或聚苯乙烯中的一种或几种的混合物。

4.根据权利要求1所述的一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述混合料A、SiC粉料和造孔剂的质量比为（2～10）：100：（0～100）。

5.根据权利要求1所述的一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述压制成形的压制条件为：压力100～200Mpa，保压时间30～120s。

6.根据权利要求1所述的一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）中超声波清洗器的清洗环境为自来水，清洗温度为80⁰C。

7.根据权利要求6所述的一种低温烧结的莫来石原位增强碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）中对清洗后液体中Na+含量进行测定，当Na+含量不超过自来水中Na+浓度的105%时即认为清洗结束。