1.一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n，其特征在于：由n组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜，Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面由Si薄膜完全包覆；相邻的两组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元共用一层Si薄膜。

2.根据权利要求1所述的复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n，其特征在于：组成复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的 Si纳米薄膜的厚度为2nm～10nm，Ge2Sb2Te5纳米薄膜的厚度为2nm～10nm；n为正整数。

3.根据权利要求2所述的复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n，其特征在于：所有Si纳米薄膜的厚度与所有Ge2Sb2Te5纳米薄膜的厚度相同。

4.一种如权利要求1所述的复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法，其特征在于包括以下步骤：①基片的准备，将基片洗净烘干待用；

②磁控溅射的准备，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Si和Ge2Sb2Te5作为溅射靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；

③磁控溅射制备[Si（x）/Ge2Sb2Te（5 x）/Si（x）] n多层复合薄膜，首先清洁Si靶材和Ge2Sb2Te5靶材表面，清洁完毕后，将待溅射的基片旋转到Si靶位，溅射结束后得到Si薄膜层；Si薄膜层溅射完成后，将已经溅射了Si薄膜层的基片旋转到Ge2Sb2Te5靶位，溅射结束后得到Ge2Sb2Te5薄膜层；重复上述溅射Si层和Ge2Sb2Te5层的操作n-1次，然后在最表面一层的Ge2Sb2Te5薄膜上再溅射一层Si薄膜，即得到[Si（x）/Ge2Sb2Te（5 x）/Si（x）] n复合相变薄膜材料。

5. 根据权利要求4所述的复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法，其特征在于：步骤③中Si层溅射速率为0.4～0.5nm/s，Ge2Sb2Te5层溅射速率为 0.35 nm/s～0.45nm/s。