1.一种He-Ne的精校准方法，半导体泵浦源（1）出射的泵浦光经泵浦聚焦系统（2）聚焦后，进入增益介质（3），校准He-Ne光使得与泵浦光精确共路；其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在泵浦聚焦系统（2）后设置两个小孔光阑（8）、（9），每一个小孔光阑标定对应位置处泵浦光的中心点，调整He-Ne激光器（7）的位置与角度使其出射光束同时经过两个小孔光阑（8）、（9），实现与泵浦光的反向共路，初步校准He-Ne激光器（7）；

步骤2：以步骤1所确定的He-Ne激光器（7）的光路为参考光路，搭建平-平腔，平-平腔由平面输入镜（4）和平面输出镜（5）组成，调节平面输入镜（4）和平面输出镜（5）的角度使出射激光功率达到最大；以此时的平面输出镜（5）为基准，对He-Ne激光器（7）的角度进行精校准；

步骤3：以上述两步确定的光路为参考光路，用平凹输出镜（6）替换平面输出镜（5），搭建平-凹腔；保持平凹输出镜（6）的角度不变，调节凹面镜的位置使其出射功率最大化；以此时的平凹输出镜（6）为基准，对He-Ne激光器（7）的位置进行精校准。

2.根据权利要求1所述的一种He-Ne精校准方法，其特征在于：所述的步骤1中调整He-Ne激光器（7）的位置与角度需根据小孔光阑（9）调节其位置，根据小孔光阑（8）调节其角度，并反复多次直到其出射光束同时经过两个小孔光阑（8）、（9）。

3.根据权利要求1所述的一种He-Ne精校准方法，其特征在于：所述步骤2中，依次调节平面输入镜（4）和平面输出镜（5）的角度并反复多次，将腔调节到功率最大的状态。

4.根据权利要求1所述的一种He-Ne精校准方法，其特征在于：所述步骤2中以平面输出镜（5）为基准，只调节He-Ne激光器（7）的出射角度，直到平面输出镜（5）反射的He-Ne光返回He-Ne激光器（7）的出射孔，从而精校准He-Ne激光器（7）的角度。

5.根据权利要求1所述的一种He-Ne精校准方法，其特征在于：所述步骤3中以平凹输出镜（6）为基准，保持He-Ne激光器（7）的角度不变，只调节其位置直到平凹输出镜（6）所反射的He-Ne光圈中心位于He-Ne激光器的出射孔，从而精校准He-Ne激光器（7）的位置。

6.根据权利要求1所述的一种He-Ne精校准方法，其特征在于：所述半导体泵浦源（1）采用中心波长为785 nm的半导体激光器。

7.根据权利要求1所述的一种He-Ne精校准方法，其特征在于：所述平面输入镜（4）对

760-810 nm范围的光高透，对1890-2170 nm范围的光高反。

8.根据权利要求1所述的一种He-Ne精校准方法，其特征在于：所述的增益介质（3）为Tm：YAG晶体，尺寸为1 mm×10 mm×20 mm且两通光面对760-810 nm、1750-2050 nm范围的光高透。

9.根据权利要求1所述的一种He-Ne精校准方法，其特征在于：所述步骤2、和步骤3中，在He-Ne的正前方且靠近He-Ne位置设置一个小孔光阑。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的一种He-Ne精校准方法，其特征在于：所述位置包括上下、左右；角度包括俯仰偏角和左右偏角。