1.一种微力及微位移放大传感器，包括固定结构(1)、应变结构(2)、施力结构(3)，其特征是，还包括设置在应变结构(2)下方的过载保护结构(4)，过载保护结构由限位杆(41)与支撑刚性体(42)构成；

所述固定结构(1)包括刚性体基座(11)，以及竖直刚性体(12)；

所述应变结构(2)包括辅助弹性薄片(21)，以及设置有应变片(6)的主弹性薄片(22)，所述主弹性薄片(22)的一端与施力结构(3)通过安装孔(7)固定，另一端通过预紧力与过载保护结构(4)预接触，辅助弹性薄片(21)的两端分别与竖直刚性体(12)和施力结构(3)通过安装孔(7)固定；

所述施力结构(3)包括施力点(31)，以及起位移放大作用的水平刚性体(32)；

主弹性薄片(22)在施力点(31)施加微力时产生最大位移最下方，设置一根限位杆(41)，限位杆(41)根据位移放大情况，调整两者间的间隙。

2.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，水平刚性体(32)与主弹性薄片(22)构成悬臂梁结构，同时通过预紧力保持主弹性薄片(22)与支撑刚性体(42)预接触。

3.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，所述的过载保护结构(4)固定在刚性体基座(11)上，调整过载保护结构(4)与主弹性薄片(22)间的间隙保持在

0.1mm至0.5mm。

4.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，所述竖直刚性体(12)与施力结构(3)，通过辅助弹性薄片(21)桥接。

5.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，主弹性薄片(22)上贴有应变片(6)，所述应变片(6)构成惠更斯桥式电路。

6.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，主弹性薄片(22)的厚度为辅助弹性薄片(21)厚度的1/10至1/5倍，主弹性薄片(22)的长度是辅助弹性薄片(21)的5至10倍。

7.根据权利要求1至6任一项所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，包括以下操作步骤：步骤A、将传感器固定在刚性基底上；

步骤B、在施力结构(3)处施加载荷；

步骤C、通过在主弹性薄片(22)上的四片应变片(6)的变化情况来检测微力、微位移；

步骤D、利用步骤B、C计算所施加的应力、位移的大小，通过四片应变片(6)电阻的变化来求电压变化值的大小：电桥四臂接入四片应变片(6)，即两个受拉应变，两个受压应变，将两个应变符号相同的接入相对桥臂上；

其中，R1＝R2＝R3＝R4＝R，ΔR1＝ΔR2＝ΔR3＝ΔR4＝ΔR，U0为电压变化值，E0为与KU相关的系统系数，KU为电桥电压灵敏度；

设施力点(31)的中心距离竖直刚性体(12)的距离为L1，最大位移点距离竖直刚性体(12)的距离为L2，施力点力为F1，最大应变处力大小为F2，Δs为最大位移量，Δy为施力点位移量；

通过电阻变化可以计算出施力点的力F1的大小，可得施力点位移与最大位移量之间的关系为公式(a)：设b为主弹性薄片(22)宽度，h为主弹性薄片(22)厚度，l为主弹性薄片(22)上应变片(6)中心至支撑刚性体(42)的长度，使产生微小位移的力等效为F2，E为弹性模量，则最大位移变化量为公式(b)：在主弹性薄片靠近支撑刚性体(42)处的支撑力为F3，方向与最大应变处力F2大小相等方向相反，l′为应变片中心点到最大位移处距离，最大位移处的应变为公式(c)：由公式(a)(b)(c)得公式(d)：

当位移与主弹性薄片(22)厚度不变时，应变量与主弹性薄片(22)长度的平方成反比；

当位移与主弹性薄片(22)长度不变时，应变量与主弹性薄片(22)厚度成正比。

8.根据权利要求7所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，所述微力为0.1至

5N。

9.根据权利要求8所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，所述微位移为1至

30μm。