1.一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，采用溶胶凝胶法制备Ba(Ti1-yXy)O3-y混合物靶材，具体步骤如下：(1)、原料准备：

按1∶(1-y)∶y的摩尔比分别取Ba(CH3COO)2、C16H36O4Ti和X(CH3COO)2，其中，X为Mg，Zn，Ca，0.0001≤y≤0.03，备用；

(2)、溶胶制备：

将Ba(CH3COO)2和X(CH3COO)2按1∶y的摩尔比混合均匀后，溶于乙酸；

然后，加入乙酰丙酮作稳定剂，加入量为乙酸质量的5％-20％，搅拌5-10分钟得到混合溶液；

之后，向所得混合溶液中，按Ba:Ti＝1∶(1-y)的摩尔比，加入C16H36O4Ti，搅拌5-10分钟，过滤得到溶胶滤液；

(3)、Ba(Ti1-yXy)O3-y粉体的制备：将所得溶胶滤液置于恒温干燥箱中，在100-150℃下烘干6-24小时；取出，研磨后得到Ba(Ti1-yXy)O3-y粉体；

(4)、造粒：

在Ba(Ti1-yXy)O3-y粉体中加入聚乙烯醇溶液作为粘结剂，拌和均匀后，过40目筛进行造粒；

其中：聚乙烯醇溶液的质量百分比浓度为2-5％；聚乙烯醇溶液的加入量与上述烘干后的粉末的质量比为2-5∶100；

(5)、靶材成型：

将造粒后的混合料置于压片机上压制成块状；

然后，将所得块状混合料切割成直径为20-150mm，高度为2-10mm的圆柱片，即得Ba(Ti1-yXy)O3-y混合物靶材；

或者：

第一步，采用固态反应法制备Ba(Ti1-yXy)O3-y混合物靶材，具体步骤如下：(1)、原料准备：

按摩尔比1∶(1-y)∶y，分别取BaCO3、TiO2和XO；其中，X为Mg、Zn或Ca，0.0001≤y≤0.03；

备用；

(2)、物料混合：

将BaCO3、TiO2和XO按1∶(1-y)∶y的摩尔比混合均匀后，加入去离子水或无水乙醇，入球磨机粉磨4-24小时至颗粒物粒径在0.08mm以下；

然后，取出、烘干，得到初级Ba(Ti1-yXy)O3-y混合粉料；

(3)、造粒：

在所得Ba(Ti1-yXy)O3-y混合粉体中加入聚乙烯醇溶液作为粘结剂，拌和均匀后，过40目筛进行造粒；其中：聚乙烯醇溶液的质量百分比浓度为2-5％；

聚乙烯醇溶液的加入量与Ba(Ti1-yXy)O3-y纳米粉体的质量比为2-5∶100；

(4)、靶材成型：

将造粒后的混合料置于压片机上压制成块状；

后将块状混合料切割成直径为20-150mm、厚度为2-10mm的圆柱片，即得Ba(Ti1-yXy)O3-y混合物靶材；

第二步，下电极的制备：

取低温共烧生瓷带基片，以Pt或Au为靶材，采用脉冲激光方法或磁控溅射方法，将Pt或Au沉积在低温共烧生瓷带基片上，形成材质为Pt或Au的下电极；

第三步，单层纳米忆阻膜的制备：

将所制得的Ba(Ti1-yXy)O3-y纳米混合物靶材，采用脉冲激光方法或磁控溅射方法，将纳米混合物Ba(Ti1-yXy)O3-y沉积在下电极的表面上；

然后，在700-900℃下热处理10-30分钟，得到化学成分为Ba(Ti1-yXy)O3-y的单层陶瓷纳米薄膜，即为单层纳米忆阻膜；

第四步，以材质为Au、Ag或Pt的靶材，采用脉冲激光方法或磁控溅射方法，将Au、Ag或Pt沉积在上述的化学成分为Ba(Ti1-yXy)O3-y的单层陶瓷纳米薄膜上，制得上电极，即得单层纳米阻变膜忆阻器；

或者：

第四步，将In-Ga电极液，采用表面印刷方法镀在上述的化学成分为Ba(Ti1-yXy)O3-y的单层陶瓷纳米薄膜上，制得上电极，即得柔性单层纳米薄膜忆阻器。

2.根据权利要求1所述的柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，所述上电极的厚度为10nm-50um。

3.根据权利要求1或2所述的柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，所述单层陶瓷纳米薄膜的厚度为10-990nm。

4.一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，采用溶胶凝胶法制备Ba(Ti1-yXy)O3-y混合物靶材，具体步骤如下：(1)、原料准备：

按1∶(1-y)∶y的摩尔比分别取Ba(CH3COO)2、C16H36O4Ti和X(CH3COO)2，其中，X为Mg，Zn，Ca，0.0001≤y≤0.03，备用；

(2)、溶胶制备：

将Ba(CH3COO)2和X(CH3COO)2按1∶y的摩尔比混合均匀后，溶于乙酸；

然后，加入乙酰丙酮作稳定剂，加入量为乙酸质量的5％-20％，搅拌5-10分钟得到混合溶液；

之后，向所得混合溶液中，按Ba:Ti＝1∶(1-y)的摩尔比，加入C16H36O4Ti，搅拌5-10分钟，过滤得到溶胶滤液；

(3)、Ba(Ti1-yXy)O3-y粉体的制备：将所得溶胶滤液置于恒温干燥箱中，在100-150℃下烘干6-24小时；取出，研磨后得到Ba(Ti1-yXy)O3-y粉体；

(4)、造粒：

在Ba(Ti1-yXy)O3-y粉体中加入聚乙烯醇溶液作为粘结剂，拌和均匀后，过40目筛进行造粒；

其中：聚乙烯醇溶液的质量百分比浓度为2-5％；聚乙烯醇溶液的加入量与上述烘干后的粉末的质量比为2-5∶100；

(5)、靶材成型：

将造粒后的混合料置于压片机上压制成块状；

然后，将所得块状混合料切割成直径为20-150mm，高度为2-10mm的圆柱片，即得Ba(Ti1-yXy)O3-y混合物靶材；

或者：

第一步，采用固态反应法制备Ba(Ti1-yXy)O3-y混合物靶材，具体步骤如下：(1)、原料准备：

按摩尔比1∶(1-y)∶y，分别取BaCO3、TiO2和XO；其中，X为Mg、Zn或Ca，0.0001≤y≤0.03；

备用；

(2)、物料混合：

将BaCO3、TiO2和XO按1∶(1-y)∶y的摩尔比混合均匀后，加入去离子水或无水乙醇，入球磨机粉磨4-24小时至颗粒物粒径在0.08mm以下；

然后，取出、烘干，得到初级Ba(Ti1-yXy)O3-y混合粉料；

(3)、造粒：

在所得Ba(Ti1-yXy)O3-y混合粉体中加入聚乙烯醇溶液作为粘结剂，拌和均匀后，过40目 筛进行造粒；其中：聚乙烯醇溶液的质量百分比浓度为2-5％；

聚乙烯醇溶液的加入量与Ba(Ti1-yXy)O3-y纳米粉体的质量比为2-5∶100；

(4)、靶材成型：

将造粒后的混合料置于压片机上压制成块状；

后将块状混合料切割成直径为20-150mm、厚度为2-10mm的圆柱片，即得Ba(Ti1-yXy)O3-y混合物靶材；

第二步，下电极的制备：

取低温共烧生瓷带基片，以Pt或Au为靶材，采用脉冲激光方法或磁控溅射方法，将Pt或Au沉积在低温共烧生瓷带基片上，形成材质为Pt或Au的下电极；

第三步，单层纳米忆阻膜的制备：

将所制得的Ba(Ti1-yXy)O3-y纳米混合物靶材，采用脉冲激光方法或磁控溅射方法，将纳米混合物Ba(Ti1-yXy)O3-y沉积在下电极的表面上；

第四步，以材质为Au、Ag或Pt的靶材，采用热喷涂方法，将Au、Ag或Pt沉积在上述的化学成分为Ba(Ti1-yXy)O3-y的单层陶瓷纳米薄膜上，制得上电极；

最后，在700-900℃下热处理10-30分钟，得到化学成分为Ba(Ti1-yXy)O3-y的单层陶瓷纳米薄膜上，即得柔性单层纳米薄膜忆阻器。

5.根据权利要求4所述的柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，所述上电极的厚度为10nm-50um。

6.根据权利要求4或5所述的柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，所述单层陶瓷纳米薄膜的厚度为10-990nm。