1.一种以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结的层级复合材料，是以硅(Si)、二氧化钛(TiO2)和聚吡咯(PPy)层级有序组成，即Si/TiO2/PPy层级复合材料，Si是P(100)型单晶硅；TiO2是金红石相的TiO2纳米棒，为N型半导体，四棱柱形状，高度为500～4000nm，直径为

40～250nm，有序垂直生长在单晶硅表面；PPy是聚吡咯纳米粒子，为P型半导体，粒径为10～

60nm，均匀生长在TiO2纳米棒表面。Si/TiO2/PPy层级复合材料中的Si与TiO2界面、TiO2与PPy界面形成双P/N异质结，可以高效分离光生电荷，同时具有仿生昆虫复眼结构，可以有效降低入射光在表面的反射率。

2.一种制备如权利要求1所述的以单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结层级复合材料的制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)首先对硅片进行亲水处理，在其表面生长TiO2晶种，并置于马弗炉内煅烧一段时间后自然冷却；

(2)然后将步骤(1)中所得到的表面附有TiO2晶种的硅片置于反应釜中，采用水热合成的方法在硅片表面生长TiO2纳米棒；

(3)最后在步骤(2)中得到的TiO2纳米棒上沉积PPy纳米粒子，得到Si/TiO2/PPy层级复合材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的亲水处理操作为将硅片置于NH3H2O、H2O2和H2O的混合溶液中，体积比为1:1:5，温度为90℃，加热时间30min。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的生长TiO2晶种条件为将亲水处理后的硅片浸于浓度为0.05～1mol/L的钛酸四丁酯的异丙醇溶液中进行提拉或旋涂，提拉的速度是1～10mm/s，重复提拉5～30次，旋涂的速度为500～7000转/min，最后将上述样品在450～500℃马弗炉中煅烧约30～60min。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的水热合成条件为80～

200℃的温度下，在装有10～20mL去离子水、6～17mL浓盐酸(质量分数37％)和0.5～5mL钛酸四丁酯的反应釜中处理2～19h，然后取出样品用氮气吹干。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述的在TiO2纳米棒上沉积PPy纳米粒子，是指利用原位氧化法在TiO2纳米棒上沉积PPy导电高分子颗粒，反应条件为：将0.01～0.06g的FeCl3、50～150uL吡咯、5～10mL超纯水置于烧杯中，构成反应溶液。将面积为1.5cm×1.0cm的表面生长有TiO2纳米棒的硅片置于反应液中，保持室温下搅拌10～

60min，得到Si/TiO2/PPy层级复合材料。

7.如权利要求1所述一种单晶硅为载体的消反射双层P/N异质结的层级复合材料的应用，该层级复合材料用作光催化降解有机污染物的应用，将1.5cm×1.0cm面积的Si/TiO2/PPy层级复合材料放置于5mL的亚甲基蓝溶液，浓度为1.0×10-5mol/L，然后将其置于暗处1h让其达到吸附-解吸平衡，之后用光源对溶液进行光照，对亚甲基蓝进行降解。同时，该种复合材料并不局限于应用在光催化降解有机污染物，也适合于其他光催化领域，及光电转化器件、太阳能电池等领域。