1.一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法，其特征在于，包括有以下步骤：

1）首先把浓度为1%～5%的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板上至溶剂完全挥发，加热到190～210℃，保温10min消除热历史，随后将熔体以50℃/min的速率迅速降温至160℃～170℃；

2）在160℃～170℃的恒温热台上培养8～14天，使聚偏氟乙烯完全结晶；

3）结晶完全后使用浓度为1-3mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻。

2. 根据权利要求1所述的一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法，其特征在于，包括有以下步骤：

1）首先把浓度为5%的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板上至溶剂完全挥发，加热到190℃，保温10min消除热历史，随后将熔体以50℃/min的速率迅速降温到160℃

2）在160℃的恒温热台上培养8天，使聚偏氟乙烯完全结晶；

3）结晶完全后使用浓度为1mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻。

3.根据权利要求1所述的一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法，其特征在于，包括有以下步骤：

1）首先把3%浓度的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板上至溶剂完全挥发，加热到200℃，保温10min消除热历史，随后将熔体以50℃/min的速率迅速降温到165℃；

2）在165℃的恒温热台上培养11天，使聚偏氟乙烯完全结晶；

3）结晶完全后使用浓度为2mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻。

4.根据权利要求1所述的一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法，其特征在于，包括有以下步骤：

1）首先把1%浓度的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板上至溶剂完全挥发，加热到210℃，保温10min消除热历史，随后将熔体以50℃/min的速率迅速降温到170℃；

2）在170℃的恒温热台上培养14天，使聚偏氟乙烯完全结晶；

3）结晶完全后使用浓度为3mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻。