1.一种用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料，其特征在于：它的化学分子式为(Sn15Sb85)xEry；其中0

2.一种薄膜制备方法，其特征在于：该薄膜使用如权利要求1所述的用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料制成，并且该方法的步骤如下：(a)制备Sn15Sb85靶；

(b)制备Er靶材，并将Er靶材切割后贴置于Sn15Sb85靶表面；

(c)对贴置Er的Sn15Sb85靶进行磁控溅射，制备得到需要的薄膜；其中，所述薄膜的中Er的掺杂量通过Sn15Sb85靶表面贴置的Er靶材的数量来调控。

3.根据权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于：在所述的步骤(b)中，Er靶材切割成规则的扇形结构，并且扇形所对的圆心角的度数为30°。

4.根据权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于：在所述的步骤(c)中，磁控溅射时的衬底为SiO2/Si(100)基片；和/或磁控溅射时的电源采用射频电源，且溅射功率为25-

35W；和/或磁控溅射采用的溅射气体为Ar气。

5.根据权利要求4所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述溅射功率为30W。

6.根据权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述Ar气的纯度为体积百分比

99.999％以上，气体流量为15～45SCCM，溅射气压为0.10～0.35Pa。

7.根据权利要求6所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述气体流量为30SCCM，溅射气压为0.3Pa。

8.根据权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于：制备得到的薄膜的总厚度为

50nm。

9.根据权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述的Er靶材和Sb靶材的纯度在原子百分比99.999％以上，本底真空度不大于1×10-4Pa。

10.根据权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述薄膜的厚度通过磁控溅射的溅射时间来调控。