1.一种利用分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极电化学识别半胱氨酸对映体的方法，其特征在于：步骤如下：a、制备纳米金修饰电极：配制包括0.05～0.2mM氯金酸、0.05～0.2M氯化钾的电解质溶液，采用恒电位还原氯金酸的方法，从而得到纳米金修饰电极；

b、制备分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极：将步骤a制得的纳米金修饰电极放入预先配制好的包括1～3mM L-半胱氨酸、0.05～0.2M吡咯、0.05～0.2M氯化钾的混合溶液中

5～20min，然后在–0.6～0.8V的电位区间内采用循环伏安法聚合单体吡咯，聚合结束之后，在磷酸盐缓冲溶液中，采用循环伏安一步法进行脱掺杂，得到分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极；

c、电化学识别半胱氨酸对映体：将步骤b中制得的分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极置于含有0.5～2mM L-/D-半胱氨酸的磷酸盐缓冲溶液中富集一段时间之后，取出该电极插入到磷酸盐缓冲溶液中，采用循环伏安法对结合了L-/D-半胱氨酸的修饰电极进行电化学检测。

2.根据权利要求1所述一种利用分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极电化学识别半胱氨酸对映体的方法，其特征是：所述步骤a中氯金酸浓度为0.12mM，氯化钾浓度为0.1M，恒电位为–0.2V，恒电位还原氯金酸的时间为400s。

3.根据权利要求1所述一种利用分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极电化学识别半胱氨酸对映体的方法，其特征是：所述步骤b中L-半胱氨酸浓度为2mM，吡咯的浓度为

0.1M，氯化钾浓度为0.1M，放置时间为10min，循环伏安脱掺杂的磷酸盐缓冲溶液pH＝7.0，浓度为0.1M，电位区间为0～1.6V，扫速为0.1Vs-1。

4.根据权利要求1所述一种利用分子印迹过氧化聚吡咯/纳米金修饰电极电化学识别半胱氨酸对映体的方法，其特征是：所述步骤c中L-/D-半胱氨酸浓度为1mM，磷酸盐缓冲溶液pH＝4.5，浓度为0.1M。