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专利号: 2016100326471
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 信息存储
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于光激励材料的光信息存储装置,其特征在于该装置包括:信息存储阵列,所述的信息存储阵列由至少一个以上的信息存储单元构成,信息存储单元为光激励材料,用于存储光信息;

主激发光源,所述的主激发光源用于向信息存储单元中写入信息;

副激发光源,所述的副激发光源用于擦除和读取信息存储单元中的信息;

光传感器阵列,所述的光传感器阵列由与信息存储单元一一对应的光感应单元构成,光感应单元用于检测所对应信息存储单元的发光强度;

定位装置,所述的定位装置用于将主激发光源和副激发光源定位至所选的信息存储单元,进行信息的读写操作。

2.如权利要求1所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置,其特征在于所述的光激励材料为氧化物。

3.如权利要求1所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置,其特征在于所述的主激发光源为X射线光源、紫外光源或可见光源。

4.如权利要求1所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置,其特征在于所述的副激发光源为可见光源或红外光源。

5.如权利要求1所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置,其特征在于所述的副激发光源的输出能量可变。

6.如权利要求1所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置,其特征在于所述的主激发光源的发光波长小于副激发光源的发光波长。

7.如权利要求1所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置,其特征在于还包括冷却装置,用于冷却信息存储阵列,使其在低于室温的条件下进行工作。

8.利用如权利要求1所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置进行信息存储的方法,其特征在于该方法包括:信息写入:采用主激发光源照射未写入信息的存储单元,将信息写入存储单元;

信息擦除:采用副激发光源照射已写入信息的存储单元,将所写入的信息从存储单元中擦除;

信息读取:采用光感应单元探测所对应存储单元的发光强度;探测后采用副激发光源照射存储单元,同时光感应单元再次探测所对应存储单元的发光强度;对比两次探测所得的发光强度,判断该存储单元中的信息状态。

9.如权利要求8所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置的信息存储方法,其特征在于副激发光源在信息擦除操作时的光脉冲能量是信息读取操作时的10~10000倍。

10.如权利要求8所述的一种基于光激励材料的光信息存储装置的信息存储方法,其特征在于信息存储单元处于空闲状态时,光感应单元按一定时间间隔对所对应存储单元的发光强度进行检测,对于发光强度接近设定阈值的存储单元,执行信息写入操作,以延长其信息存储时间。