1.一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器，其特征在于包括两个由上层金属面下陷形成的谐振腔，输入输出馈线，以及用于调谐频率、带宽、外部Q值的变容管；

所述的滤波器主要由两层介质板构成，且上层介质板比下层介质板面积大，延伸部分用于加载输入输出馈线以及调谐元件；所述的上层介质板上表面以及下层介质板下表面铺设金属层；所述的上层介质板金属层的两处向下凹陷，形成两个谐振腔；所述的上层介质板下表面和下层介质板上表面设有周期性分布、一一对应的金属柱。

2.如权利要求1所述的一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器，其特征在于所述的滤波器可以采用双层PCB板叠加工艺，或采用LTCC工艺；

3.如权利要求2所述的一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器，其特征在于所述的滤波器采用双层PCB板，则需要利用捆绑铜导线对金属柱进行一一短接。

4.如权利要求2所述的一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器，其特征在于所述的滤波器采用双层PCB板叠加工艺，上层PCB板金属层凹陷部分可通过挖槽形式实现。

5.如权利要求4所述的一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器，其特征在于所述的上层PCB板下表面挖槽四周设有第一部分凹陷金属层，该第一部分凹陷金属层与上层PCB板下表面间设有沿挖槽四周周期性分布的金属柱，用以防止电磁能量外泄；所述的下层PCB板上表面挖槽对应处设有与挖槽大小相同的第二部分凹陷金属层；当上下两PCB板叠加时，第一部分凹陷金属层和第二部分凹陷金属层组合形成整个凹陷部分金属层。

6.如权利要求1所述的一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器，其特征在于通过在上层介质板凹陷金属层与下层介质板金属层间垂直加载变容二极管来实现中心频率可调。

7.如权利要求1所述的一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器，其特征在于所述的两个谐振腔间存在两种耦合方式，一种是通过开窗形成的磁耦合，一种是通过加载变容管形成的电耦合；

磁耦合通过开窗即增减两谐振腔间的金属柱来实现；

电耦合由加载在两个谐振腔的凹陷金属层间的变容二极管来实现，通过改变该二极管容值调节两个谐振腔间的耦合系数。

8.如权利要求1所述的一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器，其特征在于所述的输入与输出馈线加载在上层介质板大于下层介质板的延伸部分，通过变容二极管与凹陷金属层相连；变容二极管构成的可调变压器结构，完成对外部Q值的控制。