1.大功率半导体激光高频调制电路，其特征在于，包括依次连接的直流偏置电路、调制电路和限流保护电路，所述直流偏置电路包括直流电压源V1，集成稳压器U1，电容C1、C2、C3，电阻R7、R8，二极管D1和三极管Q1；所述直流电压源V1负极接地，正极输出经过所述电容C1滤波后与所述集成稳压器U1的输入端连接，所述集成稳压器U1的输出端经过所述电容C2滤波后与串联的电阻R8和电容C3连接后接地，所述三极管Q1的基极和集电极分别与所述电阻R8的两端连接，所述电阻R7与所述二极管D1并联后一端与所述三极管Q1的发射极连接，另一端为所述直流偏置电路的输出端，输出偏置电流；

所述调制电路包括高频调制信号源V5，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6，运算放大器U2，以及直流电压源V2和V3；所述高频调制信号源V5与所述电阻R1相连接，所述电阻R1和所述直流偏置电路的输出端都与所述运算放大器U2的输入端正极连接，所述运算放大器U2的输出端与串联的所述电阻R5、R3进行连接形成比例放大器，所述运算放大器U2的输出端与串联的所述电阻R4、R2相连接之后输入到所述运算放大器U2的输入端正极，所述电阻R6一端与所述电阻R4连接，另一端为所述调制电路的输出端，所述运算放大器U2的电源电压正极与所述直流电压源V2连接之后接地，所述运算放大器U2的电源电压负极与所述直流电压源V3连接之后接地；

所述限流保护电路包括直流电压源V4，三极管Q2，稳压二极管D3，电阻R9、R10，以及半导体激光器D2；所述调制电路的输出端与所述三极管Q2的集电极连接，所述三极管Q2的发射极与所述电阻R9连接，所述电阻R9与所述半导体激光器D2的正极连接，所述半导体激光器D2的负极接地，所述直流电压源V4的正极与所述电阻R10串联之后与所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的基极与所述稳压二极管D3的负极连接之后与所述半导体激光器D2的正极相连接。

2.如权利要求1所述的高频调制电路，其特征在于，所述集成稳压器U1型号为LM7805C。

3.如权利要求1所述的高频调制电路，其特征在于，所述运算放大器U2为甚大电流、高功率的运算放大器，为OPA512芯片。

4.如权利要求1所述的高频调制电路，其特征在于，所述电阻R7为可调电阻，调节所述电阻R7的阻值大小即调节所述直流偏置电路输出的偏置电流大小。

5.如权利要求1所述的高频调制电路，其特征在于，所述电阻R6为可调电阻，调节所述电阻R6的阻值大小即调节所述调制电路输出的高频调制电流的大小。

6.如权利要求5所述的高频调制电路，其特征在于，所述调制电路输出的高频调制电流在0A到15A的范围内连续可调，所述高频调制电流的调制带宽最大可达到1GHz。