1.双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，包括：激光作用区、第一类极板区、第二类极板区、电子端自由飞行管、离子端自由飞行管，第一类极板区、第二类极板区并排设置，激光作用区位于第一类极板区的一侧和第二类极板区的一侧之间；电子端自由飞行管一侧与第一类极板区的另一侧相接，电子端自由飞行管另一侧设置有电子端MCP&PS成像探测器；离子端自由飞行管一侧与第二类极板区的另一侧相接，离子端自由飞行管另一侧设置有离子端MCP&PS成像探测器。

2.根据权利要求1所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，第一类极板区包括依次间隔并排设置的正电极P1、正电极P2、正电极P3。

3.根据权利要求2所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，第二类极板区包括依次间隔并排设置负电极N1、负电极N2、负电极N3、负电极N4。

4.根据权利要求3所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，激光作用区位于正电极P1和负电极N1之间。

5.根据权利要求4所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，电子端自由飞行管一侧与正电极P3连接，离子端自由飞行管一侧与负电极N4连接。

6.根据权利要求1至5任一项所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，正电极P1电压为100V，正电极P2电压为430V，正电极P3电压为645V，负电极N1电压为-

15V，负电极N2电压为-235V，负电极N3电压为-755V，负电极N4电压为-1255V。

7.根据权利要求6所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，电子端MCP&PS成像探测器中第一块MCP电压为645V；离子端MCP&PS成像探测器中第一块MCP电压为-1255V。

8.根据权利要求7所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，正电极P1、正电极P2、正电极P3、负电极N1、负电极N2、负电极N3、负电极N4依次间隔并排设置，且均为开空圆盘，相互间圆柱对称。

9.根据权利要求7或8所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，各个器件的尺寸如下：正电极P1内径为20.4mm，外径为70mm，厚度为0.8mm；

正电极P2内径为25.4mm，外径为70mm，厚度为0.8mm；

正电极P3内径为30.2mm，外径为70mm，厚度为3mm；

电子段飞行管内径为41.2mm，外径为47mm，长度为140mm；

负电极N1内径为20.4mm，外径为70mm，厚度为0.8mm；

负电极N2内径为25.4mm，外径为70mm，厚度为0.8mm；

负电极N3内径为30.2mm，外径为70mm，厚度为0.8mm；

负电极N4内径为35.4mm，外径为70mm，厚度为3mm；

离子段飞行管内径为41.2mm，外径为47mm，长度为260mm；

正电极P3与正电极P2间距为25.2mm；

正电极P2与正电极P1间距为20.2mm；

正电极P1与负电极N1间距为16.2mm；

负电极N1与负电极N2间距为20.2mm；

负电极N2与负电极N3间距为25.2mm；

负电极N3与负电极N4间距为30.2mm。

10.根据权利要求9所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，所述的各个器件尺寸允许根据不同加工需要按照同比例放大或缩小3倍以内。