1.双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，包括：激光作用区、第一类极板区、第二类极板区、电子端自由飞行管、离子端自由飞行管，第一类极板区、第二类极板区并排设置，激光作用区位于第一类极板区的一侧和第二类极板区的一侧之间；电子端自由飞行管一侧与第一类极板区的另一侧相接，电子端自由飞行管另一侧设置有电子端MCP&PS成像探测器；离子端自由飞行管一侧与第二类极板区的另一侧相接，离子端自由飞行管另一侧设置有离子端MCP&PS成像探测器,第一类极板区包括依次间隔并排设置的正电极P1、正电极P2、正电极P3,第二类极板区包括依次间隔并排设置负电极N1、负电极N2、负电极N3、负电极N4,正电极P1、正电极P2、正电极P3、负电极N1、负电极N2、负电极N3、负电极N4依次间隔并排设置，且均为开孔圆盘，相互间圆柱对称。

2.根据权利要求1所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，激光作用区位于正电极P1和负电极N1之间。

3.根据权利要求2所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，电子端自由飞行管一侧与正电极P3连接，离子端自由飞行管一侧与负电极N4连接。

4.根据权利要求1至3任一项所述的双极光电子光离子成像仪的离子透镜装置，其特征在于，正电极P1电压为100V，正电极P2电压为430V，正电极P3电压为645V，负电极N1电压为-

15V，负电极N2电压为-235V，负电极N3电压为-755V，负电极N4电压为-1255V。