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专利号: 201610100864X
申请人: 西安工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法,是在DLC及介质薄膜的表面形成具有闭环的磁通路,且使闭环的磁通量具有最大的梯度。

2.如权利要求1所述的一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法,其特征在于:所述薄膜是DLC薄膜时,其磁场强度为0.8-1T。

3.如权利要求1所述的一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法,其特征在于:所述薄膜是介质薄膜时,其磁场强度为1.1-1.2T。

4.如权利要求2或3所述的一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法,其特征在于:所述磁场为反斥磁场,磁场力向外。

5.如权利要求1所述的一种用于提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的装置,其特征在于:包括导磁外框(2),在外框内设置有一对永磁铁,第一永磁铁(3)和第二永磁铁(4),第一永磁铁(3)和第二永磁铁(4)的距离可调。

6.如权利要求5所述的一种用于提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的装置,其特征在于:所述第一永磁铁(3)与螺杆(5)连接,该螺杆(5)设置于导磁外框(2)上,且其轴线与第一永磁铁(3)和第二永磁铁(4)的中心连线重合。