1.基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器，其特征在于，包括：计算机(10)；

与计算机(10)相连的电控精密平移台(9)；

固定在电控精密平移台(9)上的温控器(8)；

激光泵浦源(1)，产生泵浦光；

聚焦耦合系统(3)，对激光泵浦源(1)产生的泵浦光进行聚焦；

由第一平凹镜(4)与第二平凹镜(11)组成的共焦型光参量振荡腔；

位于共焦型光参量振荡腔中共焦点处的MgO:PPLN晶体(5)，经聚焦耦合系统(3)聚焦后的泵浦光泵浦位于共焦型光参量振荡腔中共焦点处的MgO:PPLN晶体(5)，所述MgO:PPLN晶体(5)贴合在温控器(8)上，所述MgO:PPLN晶体(5)的每个极化周期单元采用正、负晶畴对角线分割结构；

隔离器(2)，对第二平凹镜(11)反射回的泵浦光进行回光隔离；

固定在MgO:PPLN晶体(5)上下表面的平面电极片(6)；

两端分别与平面电极片(6)相连的驱动电源(7)，对MgO:PPLN晶体(5)进行电压加载；

通过计算机(10)控制电控精密平移台(9)的横向移动步长，实现横向移动MgO:PPLN晶体(5)所在的通光位置，进而改变晶畴占空比；

所述第一平凹镜(4)表面镀有1064nm反射率R<0.2％的增透膜、1400nm～1700nm反射率R>99.8％的高反膜和3300nm～4200nm反射率R>99.8％的高反膜，所述第二平凹镜(11)表面镀有1064nm反射率R>99.8％的高反膜、1400nm～1700nm反射率R＝60％的半反半透膜和

3300nm～4200nm反射率R<2％的高透膜。

2.根据权利要求1所述的基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器，其特征在于，所述MgO:PPLN晶体(5)中心轴对应的晶畴占空比为1/2，即正、负晶畴长度相等，中心轴两侧的晶畴占空比分别趋向于0和1，通过横向移动MgO:PPLN晶体(5)所在的通光位置改变晶畴占空比。

3.根据权利要求1所述的基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器，其特征在于，所述激光泵浦源(1)采用以Nd:YAG、Nd:YVO4或Nd:GdVO4为增益介质的全固态激光器，或者采用光纤激光器，所述激光泵浦源(1)产生的1.06μm波长激光经聚焦耦合系统(3)后光斑半径小于500μm。

4.根据权利要求1所述的基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器，其特征在于，所述隔离器(2)为Thorlabs公司生产的IO-8-1064-HP型号自由空间隔离器。

5.根据权利要求1所述的基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器，其特征在于，所述聚焦耦合系统(3)由两块平-凸透镜组成，两块平-凸透镜的焦距分别为

200mm和150mm，面元均为Φ20mm，两块平-凸透镜均对激光泵浦源(1)产生的泵浦光高透。

6.根据权利要求1所述的基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器，其特征在于，所述第一平凹镜(4)与第二平凹镜(11)的曲率半径相同，曲率半径取值范围为

150mm～300mm。

7.根据权利要求1所述的基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器，其特征在于，所述MgO:PPLN晶体(5)的尺寸为：厚×宽×长＝1mm×10mm×50mm，两端镀有

1064nm、1400nm～1700nm、3300nm～4200nm三色增透膜，极化周期长度取值范围为28.5μm～

32.5μm。

8.根据权利要求1所述的基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器，其特征在于，所述驱动电源(7)的加载电压在-3000V～+3000V范围区间连续调节。

9.根据权利要求1所述的基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器，其特征在于，所述温控器(8)的控制温度在15℃～200℃范围区间连续调节。