1.一种晶圆级LED器件的制备方法,包括以下步骤:
S1,提供一LED预制件,包括基板、安装在所述基板上的LED芯片;
S2,在所述基板上形成限位槽,所述限位槽环绕所述LED芯片,且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深且所述限位槽由靠近所述LED芯片的侧面与远离所述LED芯片的侧面直接相接形成;定义所述限位槽远离所述LED芯片的侧面距离所述LED芯片中心点的距离为D,定义所述LED芯片的半宽为d,其中, 定义所述限位槽的最大深度h,其中,0.1d≤h≤0.2d;
S3,在所述LED芯片上方进行点胶,使所述点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽的槽内部,然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层。
2.根据权利要求1所述的晶圆级LED器件的制备方法,其特征在于,所述封装透镜层包括基体以及分散于所述基体中的扩散颗粒。
3.根据权利要求2所述的晶圆级LED器件的制备方法,其特征在于,所述扩散颗粒占所述封装透镜层的总重量的1.5%~3%。
4.根据权利要求1所述的晶圆级LED器件的制备方法,其特征在于,所述限位槽靠近所述LED芯片的侧面为圆弧面或平面。
5.一种晶圆级LED器件,其特征在于,包括:基板、安装在所述基板上的LED芯片以及封装透镜层,所述基板上形成限位槽,所述限位槽环绕所述LED芯片,且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深且所述限位槽由靠近所述LED芯片的侧面与远离所述LED芯片的侧面直接相接形成;所述封装透镜层覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽的槽内部,定义所述限位槽远离所述LED芯片的侧面距离所述LED芯片中心点的距离为D,定义所述LED芯片的半宽为d,其中, 定义所述限位槽的最大深度h,其中,0.1d≤h≤0.2d。
6.根据权利要求5所述的晶圆级LED器件,其特征在于,所述封装透镜层与所述限位槽远离所述LED芯片的侧面相切。
7.根据权利要求5所述的晶圆级LED器件,其特征在于,所述限位槽靠近所述LED芯片的侧面为圆弧面或平面。
8.根据权利要求7所述的晶圆级LED器件,其特征在于,所述圆弧面向所述基板的外侧凸出。