1.一种氧化镓纳米线阵列，其特征在于由Ga2O3薄膜纳米线阵列、金纳米颗粒以及n型Si衬底组成。

2.根据权利要求1所述的一种氧化镓纳米线阵列，其特征在于所述的Ga2O3纳米线阵列的纳米线的直径为20-40nm，长度为400-600nm，所述的n型Si衬底作为制备Ga2O3纳米线阵列的衬底，所述的金纳米颗粒作为生长Ga2O3纳米线阵列的催化剂，位于Ga2O3纳米线阵列顶端，颗粒直径为20-30nm。

3.一种氧化镓纳米线阵列的制备方法，其特征在于该方法具有如下步骤：

1)n型Si衬底预处理：将n型Si衬底放入V(HF):V(H2O2)＝l:5的溶液中浸泡以去除自然氧化层，然后用丙酮、乙醇和去离子水分别超声清洗，并真空干燥；

2)放置靶材和衬底：把金靶材和Ga2O3靶材分别放置在射频磁控溅射系统的靶台位置，将步骤1)处理后的n型Si衬底固定在样品托上，放进真空腔；

3)金纳米颗粒的制备过程：先将腔体抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，打开金靶材射频控制电源，在n型Si衬底上沉积一层金薄膜，然后关闭射频电源，通入氧气，加热Si-Au衬底，对金薄膜进行原位球化退火，得到金纳米颗粒；其中，金靶材与n型Si衬底的距离设定为5厘米，溅射功率为20-30W，沉积时间为10-20秒，原位球化退火温度为700℃，保温

0.5小时；

4)Si-Au-Ga2O3纳米线阵列的制备过程：待步骤3)球化退火完成后，打开Ga2O3靶材射频控制电源，继续在Si-Au衬底上沉积Ga2O3纳米线阵列，最后，关闭Ga2O3靶材射频控制电源，对Si-Au-Ga2O3进行原位退火，得到Ga2O3纳米线阵列；其中，Ga2O3靶材与n型Si衬底的距离设定为5厘米，溅射功率为60-90W，沉积时间为1-2小时，原位退火温度为700℃，保温0.5小时。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，通入氩气后，真空腔的压强为0.8Pa，通入氧气后，真空腔的压强调整为103Pa，Al2O3-Au衬底的加热温度为700℃。