1.一种氧化硅刻蚀的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

步骤(1)、PDMS印章的制作；

取单体：引发剂10～3：1的体积比例下，将它们混合，然后使用洁净的玻璃棒不停的搅拌1～3小时，搅拌1～3小时后，得到的混合试剂，将混合试剂倒在光栅上，用玻璃棒使试剂均匀的涂覆在光栅表面，静置10～24小时；静置完成后，于50～70℃加热5～10小时得到PDMS弹性薄膜，将PDMS薄膜从光栅表面机械剥离获得表面有光栅图案的PDMS印章；

步骤(2)、氧化硅的刻蚀；

取表面生长有厚度为300nm的10mm X 8mm单晶硅片，在单晶硅片上滴5～15微升NaF饱和溶液，裁剪10mm X 8mm的PDMS印章，将印有光栅图案的一面，覆盖单晶硅片上，用10～50g重的物体压在印章上面使PDMS印章与单晶硅片接触紧密，然后在离单晶硅片附近，距离单晶硅片边缘1～3cm的地方滴加2～10ml盐酸溶液；整个过程在通风橱内的15mm X 15mm X 

15mm的正方体容器内进行；6～20小时后将PDMS印章与单晶硅片分离，用去离子水清洗单晶硅片，获得表面有刻蚀图案的单晶硅片。

2.根据权利要求1所述的一种氧化硅刻蚀的方法，其特征在于：所述的光栅为玻璃光栅、有机塑料光栅。

3.根据权利要求1所述的一种氧化硅刻蚀的方法，其特征在于：所述的单晶硅片为单晶硅表面生长有氧化硅薄膜的基片。