1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底(101)，GaN缓冲层(102)，沟道层(103)，势垒层(104)，势垒层(104)上的源极(105)、漏极(106)和栅极(107)，栅极(107)与漏极(106)之间的电荷补偿层(108)，电荷补偿层(108)上的金属电极(110)以及绝缘介质(109)组成，其特征在于：所述的沟道层(103)、势垒层(104)和电荷补偿层(108)均为GaN材料，沟道层(103)和势垒层(104)极化方向相反，势垒层(104)和电荷补偿层(108)极化方向相反。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的沟道层(103)与势垒层(104)之间，势垒层(104)和电荷补偿层(108)之间，均通过键合的工艺相结合。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的电荷补偿层(108)不能同时与漏极(106)和栅极(107)相连。

4.根据权利要求3所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的金属电极(110)电位介于栅极(107)电压和漏极(106)电压之间。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，所述绝缘介质(109)为高k介质，相对介电常数大于15。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的金属电极(110)与电荷补偿层(108)之间形成欧姆接触。

7.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的金属电极(110)与电荷补偿层(108)之间形成肖特基接触。