1.一种聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其特征在于，所述的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜按如下合成方法制备得到：在三电极电解池中，以3,4-乙撑二氧噻吩单体、支持电解质、电解溶剂的混合溶液为电解液，以金电极、铂电极、氧化铟锡导电玻璃电极或氟掺杂氧化锡导电玻璃电极为工作电极，以金电极或铂电极为辅助电极，以银/氯化银电极为参比电极，于室温下采用循环伏安法或恒电位法进行聚合反应，得到沉积在工作电极上的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，经后处理淋洗、干燥即得成品；

所述的循环伏安法为：在-1.5～2.0V电压范围内以0.01～0.5v/s的速率反复扫描4～

10周，得到沉积在工作电极上的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜；

所述的恒电位法为：在1.0～1.8V电压条件下聚合，当聚合电量达到0.01～0.1C时，聚合结束，然后在负电位-1～-0.2V下脱掺杂50～100s，得到沉积在工作电极上的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜；

所述的电解液中3,4-乙撑二氧噻吩单体的初始浓度为0.001～0.1mol/L，支持电解质的初始浓度为0.001～0.1mol/L；

所述的支持电解质为1-丁基-3甲基咪唑双(三氟甲磺酰)亚胺盐；

所述的电解溶剂为二氯甲烷。

2.如权利要求1所述的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其特征在于，所述的循环伏安法中，电压范围为-0.8～1.5V，扫描速率为0.1～0.3v/s。

3.如权利要求1所述的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其特征在于，所述的恒电位法中，电压条件为1.4V，聚合电量为0.05C。

4.如权利要求1所述的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其特征在于，所述的电解液中3,4-乙撑二氧噻吩单体的初始浓度为0.01～0.1mol/L，支持电解质的初始浓度为0.01～

0.lmol/L。

5.如权利要求1所述的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其特征在于，所述的工作电极为氧化铟锡导电玻璃电极。

6.如权利要求1所述的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其特征在于，所述的辅助电极为铂电极。

7.如权利要求1所述的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其特征在于，所述的参比电极为双液接型银/氯化银电极，所述的双液接型银/氯化银电极以3mol/L的氯化钾水溶液为第一液接，以所述的电解液为第二液接。

8.如权利要求1所述的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其特征在于，所述后处理淋洗、干燥的操作方法为：用二氯甲烷淋洗沉积在工作电极上的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，再置于60～90℃烘箱中干燥3～6h，即得成品。

9.如权利要求1～8任一项所述的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜作为电致变色材料在电致变色器件中的应用。