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专利号: 2016102833593
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-12-18
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摘要:

权利要求书:

1.一种六方氮化硼薄膜的转移方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:

步骤(1)、铜箔表面生长h-BN,形成的h-BN/Cu结构;

将铜箔放在石英管中,石英管中持续通入氩气和氢气的混合气,氩气与氢气的体积流量比为1~3:2,将电炉温度升至900~1000℃后保温5~30分钟;电炉温度升至900~1000℃后向石英管内通入硼氨烷蒸气,20~30分钟后关闭通入硼氨烷蒸气;硼氨烷蒸气通过水浴加热硼氨烷产生,水浴温度40~100℃;电炉停止加热,将石英管冷却到常温,冷却速率为20~30℃/min,然后关闭通入氢气和氩气,取出金属片,获得h-BN/Cu结构材料;

步骤(2)、在h-BN/Cu表面生长氧化硅薄膜形成SiO2/h-BN/Cu结构,氧化硅作为中间层;

将h-BN/Cu放入石英管中,石英管中持续通入氩气和氢气的混合气,氩气与氢气的流量比为1~3:2,将电炉温度升至900~1000℃后保温5~30分钟;电炉温度升至900~1000℃后向石英管内通入正硅酸乙酯蒸气,20~30分钟后关闭通入正硅酸乙酯蒸气;正硅酸乙酯蒸气通过水浴加热正硅酸乙酯产生,水浴温度40~100℃;电炉停止加热,将石英管冷却到常温,冷却速率为20~30℃/min,然后关闭通入氢气和氩气,取出金属片,获得SiO2/h-BN/Cu结构材料;

步骤(3)、在SiO2/h-BN/Cu结构材料表面旋涂一层PMMA,形成PMMA/SiO2/h-BN/Cu结构材料;

通过旋涂镀膜机在SiO2/h-BN/Cu结构材料表面旋涂5~50nm厚度的PMMA薄膜;旋涂时PMMA的苯甲醚溶液质量浓度为1%-10%,旋涂机转速为2500-3500转/分钟,旋涂后在空气中干燥5~30分钟形成PMMA薄膜黏附在SiO2/h-BN/Cu结构材料表面;

步骤(4)、用氯化铁溶液去除铜形成PMMA/SiO2/h-BN结构材料;

将PMMA/SiO2/h-BN/Cu结构材料浸入氯化铁溶液中浸泡10~60分钟去除金属铜片,获得PMMA/SiO2/h-BN结构材料;

步骤(5)、PMMA/SiO2/h-BN结构材料转移至基底表面形成“PMMA/SiO2/h-BN/基底”结构材料;

步骤(6)、在氢氟酸稀溶液中去除中间层SiO2,PMMA与“h-BN/基底”分离,实现h-BN向基底的转移;

将“PMMA/SiO2/h-BN/基底”结构材料放入体积比为1~10%的氢氟酸稀溶液中,20~60分钟后取出,获得“h-BN/基底”结构材料。

2.根据权利要求1所述的一种六方氮化硼薄膜的转移方法:其特征在于:所述的基底为硅、蓝宝石或氮化镓。