1.一种硫化锑薄膜的制备方法，其特征在于：它包括如下步骤：(1)将透明电极先后在丙酮和乙醇溶液中分别超声清洗15min后，再用去离子水冲洗干净；

(2)将两块透明电极垂直排列放入电解槽，制成二个电极，电极表面相互平行；

(3)按每11毫升1,2-乙二胺和1,2-乙二硫醇混合溶液加入0.01-0.03g硫化锑的比例，将硫化锑溶于乙二胺和1,2-乙二硫醇混合溶液，制得电沉积液；所述按乙二胺和1,2-乙二硫醇的体积比为10:1；

(4)将步骤(2)的二个电极放置在步骤(3)的电沉积液中进行阴极恒电位电沉积，电压为1.5-8V，电镀时间为5-30min，电沉积结束后，阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜；

(5)将步骤(4)的电沉积膜浸在氮气气氛下300-400度热处理1-10分钟，自然冷却至室温，得到硫化锑膜。

2.根据权利要求1所述的一种硫化锑膜的制备方法，其特征在于，所述透明电极为由透明基材和镀在其表面的透明导电材料构成。

3.根据权利要求2所述的一种硫化锑膜的制备方法，其特征在于，所述的透明基材为无机玻璃、有机玻璃和透明薄膜中的一种。

4.根据权利要求2所述的一种硫化锑膜的制备方法，其特征在于，所述透明导电材料为掺杂的氧化锡、掺杂的氧化铟或掺杂的氧化锌中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种硫化锑膜的制备方法，其特征在于，所述透明电极为ITO玻璃。