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专利号: 2016103040279
申请人: 浙江海洋大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:a)称取1-3克二水合醋酸锌和0.01-0.1克九水合硝酸铝溶解在10-30毫升乙醇溶液中,取0.1-0.5毫升单乙醇胺加入溶液;将配置好的溶液在30-80℃下搅拌0.1-1h;待溶液清澈透明后,在室温条件下陈化24h;

b)将步骤a)得到的前驱液旋涂在ITO玻璃衬底上,匀胶机转速为1000-3000rpm,旋涂时间为10-40s;旋涂完毕后,将样品放置在200-300℃热板上加热30-50min进行热退火处理,得到AZO缓冲层一;

c)在此基础上,重复步骤b),进而制备出AZO缓冲层二,并在缓冲层二的基础上制备缓冲层三,得到多层AZO缓冲层叠结构样品:ITO/AZO/AZO/AZO;待样品冷却至室温后,超声处理10min,用去离子水冲洗,氮气吹干待用;

d)将质量比为1:0.8的给体材料和受体材料溶解在1毫升氯苯溶液中配置成活性层溶液,避光30-50℃下加热搅拌12小时;将活性层溶液旋涂在步骤c)得到的AZO薄膜上,设置匀胶机转速为300-800rpm旋涂时间为15-30s,将样品放置在80-120℃热板上进行1-20min退火处理;

e)将步骤d)得到的样品放入镀膜机中,10-4Pa条件下蒸镀1-10nm MoO3和50-100nm Ag电极。

2.根据权利要求1所述的一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法,其特征在于,给体材料为P3HT,受体材料为PCBM。

3.根据权利要求1所述的一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法,其特征在于,步骤b)中ITO玻璃衬底浸入附着力促进液中,超声处理45-60min;然后取出加入丙酮超声处理15-30min,取出后使用去离子水冲洗,然后使用氮气将基板吹干,再进行旋涂前驱液。

4.根据权利要求3所述的一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法,其特征在于,附着力促进液由以下重量份的原料组成:羟乙基纤维素10-15份、正硅酸甲酯20-

35份、海藻泥5-10份、乙酸乙酯80-100份、硅烷偶联剂15-25份与醋酸0.1-0.3份。

5.根据权利要求4所述的一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法,其特征在于,附着力促进液的制备方法为:将羟乙基纤维素、正硅酸甲酯、硅烷偶联剂与海藻泥加入到乙酸乙酯中,搅拌溶解完后加入醋酸,超声60KHz处理35-50min后得到。

6.根据权利要求3或4或5所述的一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法,其特征在于,附着力促进液的温度为65-80℃。

7.根据权利要求1所述的一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法,其2

特征在于,电池面积为0.08cm。

8.根据权利要求1所述的一种用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜的制备方法,其特征在于,步骤b)中AZO缓冲层一的厚度为5-10nm。

9.一种采用权利要求1所述的用于倒结构聚合物太阳能电池的ZnO薄膜制得的倒结构聚合物太阳能电池。