1.一种4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括从下到上依次层叠设置的集电极金属、P型集电极区、N型漂移区、N型的电流增强层、P型基体区、P型体接触区和N型发射区、发射极金属，所述P型体接触区和N型发射区为同层并列设置；

其特征在于，还包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与第二沟槽自器件的上表面穿透P型基体区终止在N型漂移区内；所述第一沟槽内填充第一氧化层和第一多晶硅，形成槽栅结构；所述第二沟槽内的第二多晶硅底部被重掺杂的P型区与N型漂移区隔开，侧面被第二氧化层与P型体接触区、P型基体区及N型漂移区隔开；所述的重掺杂的P型区通过第二多晶硅与发射极连接；

所述4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管还包括N型缓冲层，N型缓冲层设置在P型集电极区和N型漂移区之间形成穿通IGBT；所述N型缓冲层的掺杂浓度要比所述N型漂移区的掺杂浓度高。

2.根据权利要求1所述的一种4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管其特征在于：所述的第一沟槽的深度与所述的第二沟槽的深度相同。

3.根据权利要求1所述的一种4H-SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管其特征在于：所述的N型的电流增强层的掺杂浓度要比所述N型漂移区的掺杂浓度要高。