1.一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

提供一种铜离子浓度为0.02 mol/L～0.06 mol/L的硝酸铜有机溶液；然后向所述硝酸铜有机溶液中加入络合剂进行混合制得前驱体溶液，其中所述络合剂为乙酰丙酮、甘氨酸、尿素、柠檬酸中的一种或几种的组合；

将所述前驱体溶液分多次旋涂在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为

30 nm～50 nm的p型氧化铜薄膜；然后在260℃～300℃温度下对其进行退火4小时～6小时；

其中，每次旋涂后均需在260℃～300℃进行热处理15分钟～30分钟；

采用热蒸发镀膜法在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极，从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，制得所述前驱体溶液的步骤包括：将无水硝酸铜或水合硝酸铜溶于2-甲氧基乙醇溶剂中，制得铜离子浓度为0.02 mol/L～0.06 mol/L的所述硝酸铜有机溶液；然后按照摩尔比为1：（0.5～1.5）的比例向所述硝酸铜有机溶液中加所述络合剂进行混合制得所述前驱体溶液。

3.根据权利要求2所述的p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，制备所述贵金属层的步骤包括：采用热蒸发镀膜法以金或银为贵金属材料在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀厚度为50 nm～100 nm，沟道长度为20 μm～60 μm、沟道宽度为500 μm～1000 μm贵金属电极分别作为源极和漏极，从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。