1.晶圆级LED阵列封装的方法，包括以下步骤：S1，提供LED预制件，包括晶圆衬底、LED芯片，在晶圆衬底上设置若干个阵列单元；S2，在阵列单元上设置若干个阵列设置的LED芯片区，将LED芯片倒装在LED芯片区上；S3，将晶圆衬底切割成若干阵列单元；S4，将阵列单元进行封装，在所述LED芯片上方进行点胶，形成封装透镜层；S5，将阵列单元上的LED芯片切割成若干个LED芯片封装体。2.根据权利要求1所述的晶圆级LED阵列封装的方法，其特征在于：所述LED芯片区的四周形成限位槽，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片区的方向逐步加深。3.根据权利要求2所述的晶圆级LED阵列封装的方法，其特征在于：将LED芯片倒装在LED芯片区上的步骤包括：S21，在晶圆衬底的正面设置导电层，所述导电层上设有用于与LED芯片连接的电路，所述导电层对应限位槽的位置开设有通孔；S22，将LED芯片倒装在导电层上，然后在LED芯片上方贴设保护膜。4.根据权利要求2所述的晶圆级LED阵列封装的方法，其特征在于：所述阵列单元进行封装的步骤包括：S41，在所述LED芯片上涂抹荧光粉，所述荧光粉为黄色荧光粉、绿色荧光粉或红色荧光粉；S42，在所述LED芯片上进行点胶，使所述胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层。5.根据权利要求2所述的晶圆级LED阵列封装的方法，其特征在于：每个阵列单元包括16个阵列设置的LED芯片区，所述LED芯片区设置成4行乘4列。6.根据权利要求2所述的晶圆级LED阵列封装的方法，其特征在于：定义所述限位槽的最大深度D，定义所述限位槽的最大宽度W，定义所述LED芯片的厚度为d，其中，0 .1d≤D≤0.2d，0.1D≤W≤0.3D。7.根据权利要求3所述的晶圆级LED阵列封装的方法，其特征在于：所述保护膜为UV膜，所述保护膜的厚度为0.10mm～0.18mm。8.根据权利要求5所述的晶圆级LED阵列封装的方法，其特征在于：所述LED芯片区为方形，所述LED芯片区的四周环绕有四条长条形的限位槽，所述四条限位槽依次首尾相接。9.根据权利要求4所述的晶圆级LED阵列封装的方法，其特征在于：所述LED芯片采用蓝光芯片，所述荧光粉采用黄色荧光粉，单个所述LED芯片上的荧光粉层与封装透镜层的重量比为1:100～3:100。10.根据权利要求2所述的晶圆级LED阵列封装的方法，其特征在于：所述限位槽靠近所述LED芯片的表面为圆弧面或倾斜的平面。