1.一种高效钙钛矿单晶光探测器，其特征在于：包括钙钛矿单晶及在钙钛矿单晶上设有的叉指电极。

2.如权利要求1所述的一种高效钙钛矿单晶光探测器，其特征在于：所述的钙钛矿单晶为具有ABX3钙钛矿结构的单晶体，其中A为CH3NH3+、H2N-CH＝NH2+、(CH3)4N+、C7H7+、Cs+或C3H11SN32+；B为Pb、Ge或Sn；X为Cl、Br或I。

3.如权利要求1所述的一种高效钙钛矿单晶光探测器，其特征在于：所述的叉指电极的厚度为1nm～1cm，指宽为10nm～1cm，间距为10nm～1cm，指长为10nm～10cm，光敏面积为

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200nm～400cm。

4.如权利要求1所述的一种高效钙钛矿单晶光探测器，其特征在于：所述的叉指电极是金属或含金属合金电极，如银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、纳(Na)、钼(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、镍(Ni)、钛(Ti)、铁(Fe)、铂(Pt)、锡(Sn)、铅(Pb)、镓(Ga)、不锈钢、铝钛合金、铝硅合金等；叉指电极是导电非金属如石墨等；叉指电极是导电非金属化合物电极，包括卤素族化合物、氧族化合物、氮族化合物等；叉指电极是导电化合物电极，包括氧族化和物如氧化物、硫化物、硒化物等；叉指电极是导电化合物电极，包括卤素组化合物如氯化物、溴化物、碘化物、氟化物等；叉指电极是透明或半透明导电化合物，如透明导电氧化物等。

5.一种高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将培养好的钙钛矿单晶用有机溶剂浸泡处理，以清洗除去单晶表面在培养过程中残留的杂质；

2)将表面经过清洗的钙钛矿单晶表面进行抛光，抛光后再清除单晶表面在抛光过程中残留的粉末等细小颗粒；

3)随后，将钙钛矿单晶置于真空干燥箱中干燥；

4)将带有叉指图形的掩膜板固定在钙钛矿单晶一面上；

5)在固定了掩膜板的钙钛矿单晶一面上沉积得到叉指电极，即得到单晶光探测器。

6.根据权利要求5所述的高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，其特征在于：步骤1)中所用机溶剂为无水乙醚，氯苯，环己烷，异丙醇，二氯甲烷，乙酸乙酯或石油醚。

7.根据权利要求5所述的高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，其特征在于：步骤2)中将抛光后的单晶采用气体吹洗或有机溶剂中超声清洗清除单晶表面的粉末等细小颗粒。

8.根据权利要求5所述的高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，其特征在于：步骤3)中钙钛矿单晶在真空干燥箱中的干燥温度为10℃－200℃。

9.根据权利要求5所述的高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，其特征在于：步骤5)中通过热蒸发，光刻胶技术，磁控溅射，喷涂，印刷或脉冲沉积在钙钛矿单晶上沉积得到叉指电极。