1.一种高强度宽带太赫兹波发生器，由飞秒激光脉冲光源、THz脉冲发生器和作用于THz脉冲发生器的磁场构成，其特征在于，脉冲THz波发生器以[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n或[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n为核心层，n≥1；单或多核心层生长在双面抛光的基底上；所述基底为双面抛光的Al2O3或MgO；所述非磁性金属薄膜和铁磁薄膜为纳米薄膜；磁场平行于薄膜平面加在纳米薄膜两侧。

2.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，铁磁薄膜或非磁性金属薄膜材料厚度在1到10nm内变动。

3.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，各单元膜层依次在双面抛光基底上生长1到10层。

4.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，所述铁磁薄膜为Fe纳米薄膜；非磁性金属薄膜为Pt纳米薄膜；能透射THz波的绝缘层采用MgO薄膜；构成[Fe/Pt/MgO]n或[Pt/Fe/MgO]n太赫兹波发生器，n≥1。

5.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，所述各纳米薄膜刻蚀成各种式样，成为不同性能的THz发生器；所述式样由一些基本图形：直线、圆、多边形组成。

6.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，所述铁磁薄膜可用以下物质之一构成：Fe、Co、Ni、CoFe单一成份或其合金。

7.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，所述非磁性金属薄膜可用以下物质之一构成：Au、Ag、Pt、Bi、Bi2Se3。

8.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，所述基底采用如下材料中的一种：氧化镁，氧化铝，氧化硅，氧化钛，氧化锌，氧化锆，氧化锗，氧化钒，氧化钇，氧化镧，氧化锡。