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专利号: 201610424978X
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种高强度宽带太赫兹波发生器,由飞秒激光脉冲光源、THz脉冲发生器和作用于THz脉冲发生器的磁场构成,其特征在于,THz脉冲发生器以[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n或[非磁性金属薄膜/铁磁薄膜/能透射THz波的绝缘层]n为核心层,n=

3;多核心层生长在双面抛光的基底上;所述基底采用如下材料中的一种:氧化镁,氧化铝,氧化硅,氧化钛,氧化锌,氧化锆,氧化锗,氧化钒,氧化钇,氧化镧,氧化锡;所述非磁性金属薄膜和铁磁薄膜为纳米薄膜;磁场平行于薄膜平面加在纳米薄膜两侧;

铁磁薄膜或非磁性金属薄膜材料厚度在0.2 到10 nm内变动;

所述铁磁薄膜用以下物质之一构成:Fe、Co、Ni、CoFe单一成份或其合金;所述非磁性金属薄膜用以下物质之一构成:Au、Ag、Pt、Bi、Bi2Se3;能透射THz波的绝缘层采用MgO薄膜;所述飞秒激光脉冲光源发出的飞秒激光波长为800nm,脉宽为50fs,频率为1000Hz,功率为

70mV;

上述作用于THz发生器的磁场的磁铁固定在旋转平台上,以获得任意偏振方向的THz光波。

2.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器,其特征在于,所述各纳米薄膜刻蚀成各种式样,成为不同性能的THz发生器;所述式样由一些基本图形:直线、圆、多边形组成。