1.一种利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法，其特征在于，包括以下步骤：a. 将具有p/n结的光敏半导体片材或其薄膜以紫外光照或蒸气消毒方式消毒；其中光敏半导体为p型或n型的单晶硅、多晶硅或者非晶硅，在其表面通过施主元素扩散或受主元素扩散形成有p/n结；

b. 将上述具有p/n结的光敏半导体片材或其薄膜作为体外细胞培养表面，在其表面以

3×104 1×106个/cm2的密度种植细胞，加入细胞培养基，并放入37摄氏度恒温及5%二氧化~碳的细胞培养箱中培养1～10天；

c. 将经上述培养后的培养表面移入PBS中，以波长为400～800纳米、强度30 200mW/cm2~的可见光照射上述光敏半导体片材或其薄膜1～20分钟，即可使培养后的细胞或细胞薄层脱附。

2.根据权利要求1所述的利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法，其特征在于，所述p/n结的结深为0.3 2μm。

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3.根据权利要求1所述的利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法，其特征在于，所述的具有p/n结的光敏半导体片材或其薄膜的表面为绒面。

4.根据权利要求1所述的利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法，其特征在于，所说的光敏半导体片材的厚度为100微米～1000微米。

5.根据权利要求1所述的利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法，其特征在于，所说的光敏半导体薄膜的厚度为300纳米～20微米。

6.根据权利要求4所述的利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法，其特征在于，所述的光敏半导体片材表面的粗糙度为1 10微米。

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7.根据权利要求5所述的利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法，其特征在于，所述的光敏半导体薄膜表面的粗糙度为100 500纳米。

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8.如权利要求1所述的利用可见光照射获取体外培养的细胞/细胞薄层的方法，其特征在于，所述的细胞为成骨细胞、成纤维细胞、成肌细胞、上皮细胞、内皮细胞或干细胞。