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专利号: 2016104421121
申请人: 广西大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 一般的物理或化学的方法或装置
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料,是由Ga2O3、AgNO3和NaBr制备而成,其特征在于,所述的Ga2O3、AgNO3和NaBr的摩尔比为n(Ga2O3):n(AgNO3):n(NaBr)=1:2:2。

2.根据权利要求1所述的Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将Ga2O3粉末加入到50mL的银源前驱物中,超声,使Ga2O3粉末均匀分散在银源前驱物中,待超声完毕后,再磁力搅拌10-30min,得到混合溶液;

(2)称取NaBr,将其溶解于50mL去离子水中,得到NaBr溶液;边搅拌边将NaBr溶液滴加到步骤(1)中所得的混合溶液中,滴加完毕后,磁力搅拌,即可得到AgBr/Ga2O3异质结构光催化剂;

(3)将AgBr/Ga2O3异质结构光催化剂溶解到50mL去离子水中,通入N2曝气20-30min以去除水中溶解氧,气流量为40mL/min,用紫外灯对其进行光还原处理,使其界面原位形成Ag纳米粒子,即得到Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料。

3.根据权利要求2所述的Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的银源前驱物为AgNO3溶液,其浓度为0.1mol/L。

4.根据权利要求2所述的Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中Ga2O3的量按比例n(Ga2O3):n(AgBr)=1:2计算。

5.根据权利要求2所述的Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中超声的时间为20-30min。

6.根据权利要求2所述的Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中NaBr的量为n(NaBr):n(AgNO3)=1:1。

7.根据权利要求2所述的Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中磁力搅拌的时间为1-2h。

8.根据权利要求2所述的Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中的操作需在避光下进行。

9.根据权利要求2所述的Ag/AgBr/Ga2O3异质结构光催化材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述的紫外灯的波长254nm。