1.一种电离层VTEC值异常检测方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)确定观测序列，数量为n，选择观测序列中初始的VTEC观测值，表示为：VTECi，1≤i≤n，i表示观测序列中的第i个值；

(2)对VTEC观测值VTECi进行逐个递推，表示为：VTEC(i)，递推方法如下所示：PE(i)＝A(i-1)×P(i-1)×A(i-1)′+Q(i-1)  (1)式(1)中，2≤i，表示从第2个观测值开始递推；A表示状态转移矩阵，A的初始值设为1，即A(1)＝1；Q表示系统噪声矩阵，Q的初始值设为1，即Q(1)＝1；PE表示预报误差矩阵，PE的初始值同样设为1，即PE(1)＝1；P表示递推的均方误差矩阵，P的初始值同样设为1，即P(1)＝1；

H(i)＝PE(i)×C(i-1)′×(C(i-1)×PE(i)×C(i-1)′+R(i-1))-1  (2)式(2)中，H表示增益矩阵，H(2)＝PE(2)×C(1)′×(C(1)×PE(2)×C(1)′+R(1))-1；C表示量测矩阵，C的初始值设为1，即C(1)＝1；R表示测量噪声矩阵，R的初始值设为1，即R(1)＝

1；

VTEC(i)＝A(i)×VTEC(i-1)+H(i)×(VTECi-C(i)*A(i)*VTEC(i-1))  (3)式(3)中，VTEC(i)表示第i个递推的VTEC值，VTECi表示第i个实际的VTEC值；

I＝eye(size(H(i))  (4)

式(4)中，eye表示设定单一矩阵，size(H(i))表示求矩阵H(i)的维数；

P(i)＝(I-H(i)×C(i))×PE(i)  (5)(3)计算VTEC观测值和VTEC滤波值的差值序列及两者差值序列的均方差，构建VTEC异常检测统计量，计算方法为：Δi＝VTEC(i)-VTECi  (6)

式(6)中，Δi即为VTEC异常检测统计量，它表示VTEC预测值VTEC(i)和VTEC观测值VTECi的差值；σ表示Δ的均方差；

式(7)中，σ表示Δ的均方差，n表示VTEC观测序列的数据量；

将Δ作为统计量，进行电离层VTEC异常统计。取Δ加上k倍的σ为异常探测范围的上边界，Δ减去k倍的σ为下边界，其中k为探测系数；确定了VTEC异常探测上下边界就可以最终确定VTEC异常值，其中，VTEC观测值大于上边界则称为上边界异常；同样，观测值小于下边界则称为下边界异常，上下边界的计算如式(8)、(9)所示：

公式(8)、(9)中，vtecs表示VTEC上边界，vtecx表示VTEC下边界，k表示探测系数， 表示对Δ取平均值；

(4)利用VTEC异常探测统计量，依据VTEC上边界和下边界进行VTEC异常探测与统计分析。