1.一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件，包括外延层(12)与氧化层(11)，其特征在于，外延层(12)表面下有一层氮注入层；在外延层(12)表面下有一层三价元素的扩散层；氮在外延层(12)表面下的注入深度为18-20nm；三价元素为铝，三价元素铝在外延层(12)中的扩散深度为10-20nm；

上述器件采用以下步骤制成，

A、选择N型或P型的4H-SiC外延片，采用高温扩散工艺将三价元素铝植入到4H-SiC外延层(12)表面，在外延片上形成高斯分布的扩散层；铝原子在外延层(12)中的浓度呈高斯分

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布，峰值浓度范围为2×10 -1×10 cm ，深度范围为10-20nm，并且同时生长的氧化层(11)为掺铝的SiO2；

B、利用干法刻蚀工艺减薄高温扩散工艺所生长的氧化层(11)，精确控制刻蚀后的氧化层(11)厚度为18-20nm；

C、对减薄后的4H-SiC晶片进行退火，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层(12)与氧化层(11)的界面，形成氮注入层，氮在外延层(12)表面下的注入深度为18-20nm；

D、利用干氧氧化工艺将氧化层(11)生长至所需要的厚度，厚度为46-50nm；

E、退火后，在4H-SiC晶片上镀上金属层，并采用剥离工艺形成金属电极，随后用快速退火的方法形成性能良好的欧姆接触。

2.一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件的制备方法，其特征在于：A、选择N型或P型的4H-SiC外延片，采用高温扩散工艺将三价元素铝植入到4H-SiC外延层(12)表面，在外延片上形成高斯分布的扩散层；铝原子在外延层(12)中的浓度呈高斯分布，峰值浓度范围为2×1017-1×1018cm-3，深度范围为10-20nm，并且同时生长的氧化层(11)为掺铝的SiO2；

B、利用干法刻蚀工艺减薄高温扩散工艺所生长的氧化层(11)，精确控制刻蚀后的氧化层(11)厚度为18-20nm；

C、对减薄后的4H-SiC晶片进行退火，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层(12)与氧化层(11)的界面，形成氮注入层，氮在外延层(12)表面下的注入深度为18-20nm；

D、利用干氧氧化工艺将氧化层(11)生长至所需要的厚度，厚度为46-50nm；

E、退火后，在4H-SiC晶片上镀上金属层，并采用剥离工艺形成金属电极，随后用快速退火的方法形成性能良好的欧姆接触。

3.根据权利要求2所述的一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A的扩散温度在1500℃～1800℃之间。