1.一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件，包括外延层(12)与氧化层(11)，其特征在于，外延层(12)表面下有一层氮注入层。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件，其特征在于，在外延层(12)表面下有一层三价元素的扩散层。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件，其特征在于，氮在外延层(12)表面下的注入深度为18-20nm。

4.根据权利要求2所述的一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件，其特征在于，三价元素为铝，三价元素铝在外延层(12)中的扩散深度为10-20nm。

5.根据权利要求3所述的一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件，其特征在于，三价元素铝在外延层(12)中的浓度呈高斯分布，峰值浓度范围为2×1017-1×1018cm-3。

6.一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件的制备方法，其特征在于：A、采用高温扩散工艺将三价元素植入到4H-SiC外延层(12)表面，形成扩散层；

B、利用干法刻蚀工艺减薄高温扩散工艺所生长的氧化层(11)；

C、利用减薄后的氧化层(11)作为掩蔽层，采用离子注入工艺将五价元素氮植入到外延层(12)与氧化层(11)的界面，形成氮注入层；

D、利用干氧氧化工艺将氧化层(11)生长至所需要的厚度；

E、在4H-SiC晶片上镀上金属层，并采用剥离工艺形成金属电极，随后用快速退火的方法形成性能良好的欧姆接触。

7.根据权利要求6所述的一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A是区别于常规扩散工艺的高温扩散，扩散温度在1500℃～1800℃之间。

8.根据权利要求6所述的一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，高温扩散后的铝原子在外延层(12)中的浓度呈高斯分布，峰值浓度范围为2×

1017-1×1018cm-3，深度范围为10-20nm，并且同时生长的氧化层(11)为掺铝的SiO2。

9.根据权利要求6所述的一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤B中的减薄工艺采用等离子体干法刻蚀技术，精确控制刻蚀后的氧化层(11)厚度为18-20nm。

10.根据权利要求6所述的一种低功耗4H-SiC电压控制型功率半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A中的三价元素为铝或硼。