1.晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：

S1，制备LED的硅基板，所述硅基板的顶面形成空腔，所述空腔设有LED晶片区，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；

S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；

S3，通过溅射方式，在硅基板的顶面涂布一层反射层，制备过程在室温环境下完成；

S4，提供装有溶剂的浸泡池，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；

S5，在LED晶片区内设置LED晶片。

2.根据权利要求1所述的晶圆级LED芯片的反射层制备方法，其特征在于：制备LED的硅基板的步骤包括：S11，提供硅基板，所述硅基板的顶面形成空腔，在空腔内开设若干个硅通孔；

S12，制备绝缘层，所述硅通孔的内侧壁与硅基板的底面均覆盖有绝缘层；

S13，制备电极，采用铜柱电极，所述电极穿设在硅通孔内，使LED晶片的两极与外界连接。

3.根据权利要求1所述的晶圆级LED芯片的反射层制备方法，其特征在于：定义硅基板的厚度为D，其中，0.55mm≤D≤0.65mm，定义限位槽的的深度d，其中，0.1d≤D≤0.2d。

4.根据权利要求1所述的晶圆级LED芯片的反射层制备方法，其特征在于：制备反射层时，采用溅射设备在移动中进行喷射，所述溅射设备具有若干个喷射口，每次喷射在硅基板的表面形成若干个溅射点。

5.根据权利要求1所述的晶圆级LED芯片的反射层制备方法，其特征在于：定义注射光致抗蚀剂的注射速度为V，其中，5mm/s≤V≤10mm/s，注射口径为1mm～2mm，注射时间为0.1s～0.15s。

6.根据权利要求1所述的晶圆级LED芯片的反射层制备方法，其特征在于：制备光致抗蚀剂层时，烘焙的温度为120℃～150℃，烘焙时间为15min～25min。

7.根据权利要求1所述的晶圆级LED芯片的反射层制备方法，其特征在于：制备反射层的步骤中，制得的反射层厚度为150nm～190nm。

8.根据权利要求7所述的晶圆级LED芯片的反射层制备方法，其特征在于：制得的反射层厚度为160nm～180nm。

9.根据权利要求1所述的晶圆级LED芯片的反射层制备方法，其特征在于：在LED晶片区内设置LED晶片的步骤中，包括有若干个LED晶片，所述若干个LED晶片呈阵列排布。

10.LED芯片，应用权利要求1至9任意一项制得的LED芯片，其特征在于：包括硅基板和若干LED晶片，所述若干LED晶片阵列的排布在硅基板顶面，所述硅基板顶面位于LED晶片的外围设有反射层，所述反射将LED晶片发出的光向外反射出去。