1.一种在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于，其步骤为：采用流动液相微反应体系，通过连续地向流动液相微反应体系中更换新鲜的用于反应生长单晶薄片的单晶生长液，即在反应过程中一边向容器中注入新鲜的单晶生长液，一边从容器中抽出旧的单晶生长液；使ABX3钙钛矿单晶薄片在流动液相微反应体系中连续生长，并通过调节流动液相微反应体系的形状和空间大小来调控生长的ABX3钙钛矿单晶薄片的形状和厚度，无需切割；其中流动液相微反应体系包括两片平板，且两片平板之间通过支撑物形成ABX3钙钛矿单晶薄片的生长空间。

2.根据权利要求1所述的在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于：所述的单晶生长液的配制步骤为：取含有铅、锡或锗的金属化合物，含有氯、溴或碘的卤代物，以及能够溶解所述金属化合物和卤代物的溶剂；先将卤代物溶解在溶剂中，混合均匀，再加入金属化合物，溶解并混合均匀，得到单晶生长液。

3.根据权利要求2所述的在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于：所述的单晶生长液的配制过程中，卤代物和金属化合物的溶解温度为室温～90℃。

4.根据权利要求2所述的在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于：所述的单晶生长液中金属离子与卤素离子的摩尔比为

1:(0.5～10)，其中金属离子为铅离子、锡离子或锗离子，卤素离子为氯离子、溴离子或碘离子。

5.根据权利要求4所述的在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于：所述的单晶生长液中金属离子与卤素离子的总浓度为

0.05～5.0mol/L。

6.根据权利要求2-5中任意一项所述的在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于：所述的金属化合物为氯化铅、溴化铅、碘化铅、醋酸铅、氯化亚锡、四氯化锡、溴化亚锡、碘化亚锡、氯化锗、溴化锗或碘化锗；

所述的溶剂为氢碘酸、γ-丁内酯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜或N-甲基-2-吡咯烷酮；

所述的卤代物为含有有机或无机离子半径为 的有机或无机卤代物中的一

种。

7.根据权利要求6所述的在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于：所述的卤代物为氯甲胺、氯甲脒、氯化四甲胺、氯卓鎓、氯代2-异硫脲、溴甲胺、溴甲脒、溴化四甲胺、溴卓鎓、溴代2-异硫脲、碘甲胺、碘甲脒、碘化四甲胺、碘卓鎓、碘代2-异硫脲、CsCl、CsBr或CsI。

8.根据权利要求7所述的在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于：所述的ABX3钙钛矿单晶薄片中，A为CH3NH3+、C7H7+、H2N-CH＝NH2+、(CH3)4N+、Cs+或C3H11SN32+，B为Pb、Ge或Sn，X为Cl、Br或I。

9.根据权利要求1-5中任意一项所述的在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于：所述的ABX3钙钛矿单晶薄片的生长温度为

50～200℃，生长出的ABX3钙钛矿单晶薄片的厚度为1μm～10cm。

10.根据权利要求1-5中任意一项所述的在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，其特征在于：所述的平板和支撑物的材质为玻璃、硅、不锈钢或石英，支撑物的高度为1μm～10cm。