1.一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜，其特征在于，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Erx(GeiSbj)y，x、y都为原子百分比，其中0＜x≤0.10，0.90＜y≤1，x+y＝1.00，i＝10，j＝90。

2.如权利要求1所述的稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜，其特征在于，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜中，0.006≤x≤0.024。

3.如权利要求1所述的稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜，其特征在于，所述Erx(GeiSbj)y为相变薄膜材料。

4.如权利要求1所述的稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜，其特征在于，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜是在外部电脉冲或激光脉冲作用下具有可逆相变的材料。

5.如权利要求1所述的稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜，其特征在于，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜通过控制铒元素的含量，同时改变Ge和Sb元素的比例，得到不同结晶温度、不同激活能和不同熔点的相变材料。

6.一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤一，清洗SiO2或Si基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟后用去离子水冲洗，在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟后用去离子水冲洗，用高纯N2吹干表面和背面，在120℃烘箱内烘干水汽，20分钟；

步骤二，采用磁控溅射方法制备铒掺杂改性的相变材料前准备，具体过程如下：装好GeSb溅射靶材，将稀土片直接放置于Sb靶表面，靶材的纯度均达到99.999％，并将本底真空抽至1×10-4Pa，设定溅射功率为30W，使用高纯Ar作为溅射气体，设定Ar气流量为30SCCM，并将溅射气压调节至0.3Pa；或者采用单靶磁控溅射方法制备相变薄膜，具体过程如下：将空基托旋转到需要溅射的靶位，打开靶上所施加的射频电源，依照设定的溅射时间，开始进行溅射，清洁靶材表面，靶材表面清洁完成后，关闭靶上所施加的直流电源，将待溅射基片旋转到靶位，开启靶位电源，依照设定的溅射时间，开始溅射薄膜。