1.一种具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区，其特征在于：包括探针区域和空白区域，其中空白区域没有晶体管，只是覆盖有SiO2为绝缘层的Si衬底，目的是为了方便夹取、移动载样区；探针区域包括不少于1个的探针，每个探针包括依次排列的不少于1个的场效应晶体管，每个场效应晶体管以Si为基底材料，SiO2作为绝缘层覆盖在Si基底层表面，栅极G位于Si基底层底部中心，源极S和漏极D位于SiO2绝缘层的上部，源极S与漏极D之间为沟道区，沟道区内放置待表征样品，该待表征样品既是要在源极和漏极间形成沟道的材料、也是被测试的材料，而源极、漏极和栅极即是对待表征样品进行测试的电极；所述源极、漏极和栅极的材料为Pt、Al、Cu、Au或多晶硅。

2.根据权利要求1所述具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区，其特征在于：

所述透射电镜样品台载样区为矩形，边长为1-15mm、厚度为0.1-2mm；Si基底层厚度为0.1-

2mm；SiO2绝缘层的厚度为10-1000nm；切割出的探针长度为载样区对应边长的1/3-2/3，剩余部分作为空白区域用于方便移、取载样区；探针上场效应晶体管的表面为边长为10-150μm的矩形；刻蚀后沉积的源极S、漏极D、栅极G的尺寸不超过50μm，深度不超过Si基底层或SiO2绝缘层的厚度；源极和漏极之间的沟道区宽度为0.1-70μm，源极和漏极之间的距离要大于沟道区宽度，以保证有氧化层覆盖在源极和漏极周围。

3.一种如权利要求1所述具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)在Si基底层上加热生长一层10-1000nm厚的SiO2绝缘层，形成覆盖有SiO2氧化层的Si片衬底；

2)用光刻和刻蚀将SiO2绝缘层刻蚀成源极图案和漏极图案，其中，源极图案和漏极图案之间的距离为0.1-70μm；

3)刻蚀出一排排的源极图案、漏极图案和栅极图案之间的空隙，其中相邻的一个源极图案、一个漏极图案和一个栅极图案为一组图案，每一组图案之间共同存在一个空隙，该空隙在源极图案和漏极图案之间，宽度为0.1-70μm，每一排电极占整个载样区边长的1/3-2/

3；

4)在源极图案、漏极图案和栅极图案上沉积金属电极，作为源极、漏极和栅极三个电极，制得载样区；

5)用金刚石锯将上述步骤4)中制得的载样区部分切割成探针，不含电极部分作为空白区域以方便移、取载样区；

6)将制得的上述探针通过超声波震荡或氧气等离子体的方法清洗后，制得透射电镜样品台载样区。