1.一种易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)配制固相源粉

将BaCO3与CuO混合，用固态反应法制成BaCuO2粉；再将Y2O3与BaCuO2粉混合，作为固相源粉；

2)配制液相源粉

将Y2O3、BaCuO2和CuO混合均匀，作为液相源粉；

3)压制固相先驱块和液相源先驱块

取固相源粉、液相源粉，分别压制成固相先驱块(2)和液相源先驱块(5)，液相源先驱块(5)直径大于固相先驱块(2)的直径；

4)压制固液隔离层

另取固相源粉压制成第一固液隔离层(3)；再取固相源粉压制成第二固液隔离层(4)，第二固液隔离层(4)与液相源先驱块(5)直径相同；

5)压制支撑块

将Yb2O3粉压制成与液相源先驱块直径相同的坯块，作为支撑块(6)；

6)制备钕钡铜氧籽晶

将Nd2O3与BaCO3、CuO混合，用固态反应法制成Nd2BaCuO5；再将Nd2O3与BaCO3、CuO混合，用固态反应法制成NdBa2Cu3O7-δ；然后将Nd2BaCuO5粉体与NdBa2Cu3O7-δ粉体混合均匀，压制成钕钡铜氧先驱块，用顶部籽晶熔融织构法在晶体生长炉中进行烧结，得到钕钡铜氧块材；取自然解理的钕钡铜氧小方块作为钕钡铜氧籽晶(1)；上式中0≤δ≤1；

7)装配先驱块

按轴对称方式在Al2O3垫片(8)上表面自下而上依次放置MgO单晶块(7)、支撑块(6)、液相源先驱块(5)、第二固液隔离层(4)、第一固液隔离层(3)、固相先驱块(2)、钕钡铜氧籽晶(1)；

8)熔渗生长单畴钇钡铜氧块材

将装配好的坯体放入晶体生长炉中，以每小时80～120℃的升温速率升温至920℃，保温20小时，再以每小时40～60℃的升温速率升温至1040～1045℃，保温1～2.5小时；以每小时60℃的降温速率降温至1015～1025℃，以每小时0.1～0.5℃的降温速率慢冷至980～990℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钇钡铜氧块材；

9)渗氧处理

将单畴钇钡铜氧块材置入石英管式炉中，在流通氧气气氛中，440～410℃的温区中慢冷200小时，得到单畴钇钡铜氧超导块材。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4)中小方块第一固液隔离层(3)数量为至少为3个；第二固液隔离层(4)厚度至少为2.0mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中BaCO3粉与CuO粉按摩尔比为

1：1混合；Y2O3粉与BaCuO2粉按摩尔比为1：1.2混合。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中Y2O3、BaCuO2和CuO按摩尔比为1：10：6混合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中固相先驱粉与液相源粉的质量比为1：1.4。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中，在压制液相源先驱块(5)时将Yb2O3、液相源粉依次倒入模具中，压制成一个整体坯块。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤6)中制备Nd2BaCuO5的Nd2O3与BaCO3、CuO的摩尔比为1：1：1；制备NdBa2Cu3O7-δ的Nd2O3与BaCO3、CuO的摩尔比为1：4：6；

Nd2BaCuO5与NdBa2Cu3O7-δ的质量比为1：3。