1.一种易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)配制固相源粉

将BaCO3与CuO混合，用固态反应法制成BaCuO2粉；再将Gd2O3与BaCuO2粉混合，作为固相源粉；

2)配制液相源粉

将Y2O3、BaCuO2和CuO混合均匀，作为Y基液相源粉；或将BaCuO2和CuO混合均匀，作为无Y基液相源粉；

3)压制固相先驱块

取固相源粉，压制成固相先驱块(2)；

4)压制含有圆孔的液相源先驱块

取液相源粉，压制成含有圆孔的液相源先驱块(4)；液相源先驱块(4)直径大于固相先驱块(2)的直径；

5)压制Y2O3圆柱形支柱

将Y2O3压制成小圆柱体作为Y2O3支柱(3)；

6)压制支撑块

将Yb2O3粉压制成与液相源先驱块直径相同的坯块，作为支撑块(5)；

7)制备钕钡铜氧籽晶

将Nd2O3与BaCO3、CuO混合，用固态反应法制成Nd2BaCuO5；再将Nd2O3与BaCO3、CuO混合，用固态反应法制成NdBa2Cu3O7-δ；然后将Nd2BaCuO5粉体与NdBa2Cu3O7-δ粉体混合均匀，压制成钕钡铜氧先驱块，用顶部籽晶熔融织构法在晶体生长炉中进行烧结，得到钕钡铜氧块材；取自然解理的钕钡铜氧小方块作为钕钡铜氧籽晶(1)；上式中0≤δ≤1；

8)装配先驱块

在Al2O3垫片(7)上表面自下而上以轴对称的方式依次放置MgO单晶块(6)、支撑块(5)、含有圆孔的液相源先驱块(4)、Y2O3圆柱形支柱(3)、固相先驱块(2)、钕钡铜氧籽晶(1)。

9)熔渗生长单畴钆钡铜氧块材

将装配好的坯体放入晶体生长炉中，以每小时80～120℃的升温速率升温至920℃，保温20小时，再以每小时40～60℃的升温速率升温至1058～1063℃，保温1～2.5小时；以每小时60℃的降温速率降温至1028～1033℃，以每小时0.2～0.5℃的降温速率慢冷至1008～

1013℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钆钡铜氧块材。

10)渗氧处理

将单畴钆钡铜氧块材置入石英管式炉中，在流通氧气气氛中，450～430℃的温区中慢冷200小时，得到单畴钆钡铜氧超导块材。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4)中含有圆孔的圆柱形液相源先驱块(4)的圆孔的数量至少为3个，圆孔位置均匀分散在液相源先驱块中。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5)中Y2O3支柱(3)与步骤4)中液相源先驱块(4)的圆孔相匹配。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中BaCO3与CuO粉按摩尔比为1：1混合；Gd2O3与BaCuO2按摩尔比为1：1.2混合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中作为Y基液相源粉的Y2O3、BaCuO2和CuO按摩尔比为1：10：6混合；作为无Y基液相源粉的BaCuO2和CuO按摩尔比为3：2混合。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中固相先驱粉与液相源粉的质量比为1：1.4。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤7)中制备Nd2BaCuO5的Nd2O3与BaCO3、CuO的摩尔比为1：1：1；制备NdBa2Cu3O7-δ的Nd2O3与BaCO3、CuO的摩尔比为1：4：6；

Nd2BaCuO5与NdBa2Cu3O7-δ的质量比为1：3。

8.一种权利要求1～7任一项方法制备的易除液相源残留的单畴钆钡铜氧超导块材。