1.一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠的ITO层、a-Si(p)层、a-Si(i)层、基底、a-Si(i)层、a-Si(n)层和ITO层，以及在ITO层和a-Si(p)层间插入高掺杂的a-Si(p+)层，或在ITO层和a-Si(n)层间插入高掺杂的a-Si(n+)层。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，在a-Si(p+)层和a-Si(p)层的两层间或是a-Si(n+)层和a-Si(n)层的两层间插入光电增强材料。

3.根据权利要求2所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，光电增强材料采用有表面等离子体效应的纳米颗粒。

4.根据权利要求3所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，纳米颗粒采用Au、Ag、Cu、Al、Pt和Pd金属纳米颗粒的一种或任意几种的组合。

5.根据权利要求2所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，光电增强材料采用有纳米厚度的介电材料薄膜。

6.根据权利要求5所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，介电材料采用本征或掺杂的氧化物；所述的氧化物包括氧化硅，二氧化硅，氧化锌，氧化铝，氧化钼，氧化钨中的一种或几种。

7.根据权利要求5所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，介电材料采用本征或掺杂的氮化物，所述的氮化物包括氮化硅，氮化铝，氮化碳，氮化镁，氮化钛中的一种或几种。

8.根据权利要求5所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，介电材料采用本征或掺杂的碳化物，所述的碳化物包括碳化硅，碳化钙，碳化铬，碳化钨，碳化硼中的一种或几种。

9.根据权利要求5所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，介电材料薄膜采用本征或掺杂的硅基薄膜；所述的硅基薄膜包括非晶硅薄膜，微晶硅薄膜，纳晶硅薄膜，多晶硅薄膜，氢化非晶硅锗薄膜中的一种或几种。

10.根据权利要求5所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，介电材料薄膜采用至少两种纳米厚度薄膜的周期性结构。

11.根据权利要求1所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述的高掺杂的a-Si(p+)层或a-Si(n)层的厚度为5-10nm。

12.根据权利要求1所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，ITO厚度为

80-500nm，a-Si(p)层厚度为5-10nm，a-Si(i)层厚度为5-10nm，a-Si(n)层厚度为5-10nm，基底厚度20-200μm。

13.根据权利要求1所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池，其特征在于，所述的基底采用N型晶硅或P型晶硅。

14.一种单晶硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，将基底在等离子增强化学气相沉积设备中，分步进行异质结太阳能电池的a-Si(i)层、a-Si(n)层和a-Si(p)层沉积；在电池的a-Si(p)/ITO层界面或a-Si(n)/ITO层界面中沉积高掺杂的a-Si(p+)层或高掺杂的a-Si(n+)，并在a-Si(p+)/a-Si(p)的界面中或a-Si(n+)/a-Si(n)的界面中插入光电增强材料；最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。

15.根据权利要求14所述的一种单晶硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，制备气体包硅烷，氢气，硼烷，磷烷，氧气，氩气，锗烷和二氧化碳中的一种或几种。