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专利号: 2016108343403
申请人: 长春理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法,先在衬底上制备PbI2薄膜,CH3NH3I在PbI2薄膜内与PbI2发生固相反应生成CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜,其特征在于,将粒径为10~50μm的CH3NH3I晶体粉末均匀平铺在所述PbI2薄膜的表面,自衬底处加热为CH3NH3I和PbI2提供80~100℃的固相反应温度,经过8~10min完成所述固相反应。

2.根据权利要求1所述的粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法,其特征在于,将HI与CH3NH2溶液按1:1摩尔比加入圆底烧瓶里,冰浴搅拌2h,在50℃温度下旋蒸1h,得到CH3NH3I初产物;将所述初产物先后用乙醇、乙醚清洗,在60℃温度下真空干燥24h,得到CH3NH3I白色晶体;将所述白色晶体在加热条件下溶于乙醇,完全溶解后将溶液温度降至0℃以下,重结晶后再次真空干燥,用玛瑙研钵充分研磨得到粒径为10~50μm的CH3NH3I晶体粉末。