1.一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、对钼基体的表面进行打磨处理，然后将打磨处理后的钼基体置于超声波清洗仪中进行超声波清洗，之后对超声波清洗后的钼基体进行流水冲洗后烘干；

步骤二、将步骤一中烘干后的钼基体置于离子氮化炉中，然后对离子氮化炉进行抽真空处理，直至使离子氮化炉内的压力不大于10Pa为止，之后向抽真空后的离子氮化炉内通入氩气，直至使离子氮化炉内的压力不小于20Pa为止，接着对烘干后的钼基体的表面进行离子轰击清洗；

步骤三、向离子氮化炉内通入含硫气体，在含硫气体的流量为0.05L/min～0.1L/min，离子氮化炉内温度为800℃～900℃的条件下，对步骤二中离子轰击清洗后的钼基体进行离子渗硫处理，随炉冷却后在钼基体的表面得到二硫化钼渗层；所述含硫气体为二硫化碳和氩气按体积比3∶(1～2)混合均匀而成的混合气体。

2.按照权利要求1所述的一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法，其特征在于，步骤二中所述离子轰击清洗的时间为30min。

3.按照权利要求1所述的一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法，其特征在于，步骤三中所述离子渗硫处理的时间为60min～120min。

4.按照权利要求1所述的一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法，其特征在于，步骤三中所述离子渗硫处理的电流为1.5A～2.0A。