1.一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第四电容C4、第二电阻R2、第三电阻R3、与非门、第一电源和脉冲，其特征在于：所述第十MOS管M10的漏极接第二MOS管M2的漏极、第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极、第九MOS管M9的漏极并接第一电源的正极，第一电源的负极接地；第十MOS管M10的源极接第二MOS管M2的源极和第一MOS管M1的漏极；第一MOS管M1的栅极接第一MOS管M1的源极、第三MOS管M3的栅极、第七MOS管M7的漏极以及第四MOS管M4的栅极；第十MOS管M10的栅极接第七MOS管M7的栅极、第八MOS管M8的漏极及第九MOS管M9的源极；第二MOS管M2的栅极接第三MOS管M3的漏极、第四MOS管M4的源极、第五MOS管M5的栅极、第六MOS管M6的栅极以及第四电容C4的一端；第三MOS管M3的漏极输出单光子探测信号；第三MOS管M3的源极接第六MOS管M6的源极、第七MOS管M7的源极以及第八MOS管M8的源极并接地；第四电容C4的另一端接第二电阻R2和第三电阻R3的一端；第二电阻R2的另一端接第五MOS管M5的源极和第六MOS管M6的漏极；第三电阻R3的另一端接第八MOS管M8和第九MOS管M9的栅极；

所述的与非门由第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16和第十七MOS管M17组成；第十六MOS管M16的漏极接第十七MOS管M17的源极并输出单光子信号；第十六MOS管M16的栅极接第十七MOS管M17的栅极、第十二MOS管M12的源极、第十三MOS管M13的源极以及第十四MOS管M14的漏极；第十二MOS管M12的漏极接第十三MOS管M13的漏极和第十七MOS管M17的漏极并接第一电源的正极；第十二MOS管M12的栅极接第十五MOS管M15的栅极和脉冲的正极；第十四MOS管M14的源极接第十五MOS管M15的漏极；脉冲的负极接第十五MOS管M15的源极和第十六MOS管M16的源极并接地；第十三MOS管M13的栅极接第十四MOS管M14的栅极；第十四MOS管M14的栅极接第九MOS管M9的源极输出的采样保持信号。

2.根据权利要求1所述的一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路，其特征在于：所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第四MOS管M4组成检测器。

3.根据权利要求1所述的一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路，其特征在于：所述的第五MOS管M5、第六MOS管M6、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电容C4组成延迟器，其中，第五MOS管M5和第六MOS管M6组成第一个反相器，第八MOS管M8和第九MOS管M9组成第二个反相器。

4.根据权利要求1所述的一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路，其特征在于：所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第九MOS管M9和第十MOS管M10为PMOS管；所述的第三MOS管M3、第六MOS管M6、第七MOS管M7和第八MOS管M8为NMOS管。

5.根据权利要求1所述的一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路，其特征在于：所述的第十二MOS管M12、第十三MOS管M13和第十七MOS管M17为PMOS管；所述的第十四MOS管M14、第十五MOS管M15和第十六MOS管M16为NMOS管。