1.一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料，其由铒、硒、锑三种元素组成。

2.根据权利要求1所述的Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料的化学通式为Erx(SeySb100-y)1-x，其中0

3.根据权利要求2所述的Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料，其特征在于：

0.006≤x≤0.015，5≤y≤50。

4.一种根据权利要求1至3中任一项所述的Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料的制备方法，其选自磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法、电子束蒸发法、脉冲激光沉积法、电镀法中的任意一种。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射法的具体参数如下：

衬底为SiO2/Si(100)基片；

靶材为Erx(Se30Sb70)1-x复合靶，其中Se30Sb70靶的原子百分比纯度达到99.999％，Er片的原子百分比纯度达到99.999％；

溅射气体为高纯氩气，体积百分比纯度达到99.999％；

本底真空度不大于1×10-4Pa；

溅射功率为20～40W；

气体流量为25～35sccm；

溅射气压为0.2～0.4Pa。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射法的具体步骤如下：

1)清洗SiO2/Si(100)基片；

2)装好复合溅射靶材，设定溅射功率、溅射氩气气体流量及溅射气压；

3)采用射频溅射方法制备Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料在制备相变存储器和相变显示器中的应用。