1.一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法为：利用磁控溅射的方法得到具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为4.8-8.0W/cm2，所述铟锡氧化物薄膜材料的厚度≥100nm，所述磁控溅射的工作气体为高纯氩。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的温度为室温。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的靶材为高纯铟锡氧化物靶，铟锡氧化物的纯度为99.99％，其中：三氧化二铟的质量百分比为90wt.％，二氧化锡的质量百分比为10wt.％。