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专利号: 2016108583888
申请人: 厦门理工学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 一般的物理或化学的方法或装置
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种相转化法制备ZnGaNO-聚合物自清洁杂化膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,将ZnGaNO粒子分散于第一溶剂中,超声分散均匀;

S2,将聚合物溶解于第一溶剂中,再加入ZnGaNO粒子的分散液,搅拌并超声,得到铸膜液;

S3,将配制好的铸膜液静置脱泡后,置于底物上,流动并扩展;

S4,将涂有铸膜液的底物呈水平放置浸入第二溶剂中,相转化成膜,得到所述ZnGaNO-聚合物自清洁杂化膜,其中,所述第一溶剂为聚合物的良溶剂,所述第二溶剂为聚合物的不良溶剂。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述聚合物包括聚砜、聚醚砜、聚苯醚、溴化聚苯醚、聚偏氟乙烯、醋酸纤维素、聚丙烯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚丙烯腈或者其混合物。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述的第一溶剂为包括N、N-二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、四氢呋喃或其混合物,所述第二溶剂包括水、甲醇、乙醇或其混合物。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述ZnGaNO粒子的直径为50-500nm,厚度为10-50nm。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述的铸膜液中,每3.0~10mL第一溶剂中溶解有1g所述聚合物。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述的铸膜液中,所述ZnGaNO粒子的含量为所述聚合物质量的0.01~10wt%。

7.一种根据权利要求1-7任一项方法所获得的ZnGaNO-聚合物自清洁杂化膜,其特征在于,包括聚合物膜基底以及均匀分散于所述聚合物膜基底中的ZnGaNO粒子。

8.根据权利要求7所述的ZnGaNO-聚合物自清洁杂化膜,其特征在于,所述聚合物膜表层上ZnGaNO粒子的含量大于所述聚合物膜内部中ZnGaNO粒子的含量。