1.Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤1，制备前驱体溶液；

1)制备Sn2+离子水溶液；

按Bi3+离子含量为Sn2+离子的0–4at％比例，将硝酸铋溶于浓度为0.02mol/L的氯化亚锡溶液中得到混合溶液，在混合溶液中加入浓度为2mg/L的氧化石墨烯水溶液得到Sn2+离子水溶液；氧化石墨烯水溶液按混合溶液体积的11％加入；

在混合溶液中，按混合溶液：质量分数为33％的盐酸＝200：1的体积比加入盐酸；在混

2+

合溶液中加入Sn 离子摩尔量1.5–2倍的柠檬酸；

2)制备Se2-离子浓度为0.019mol/L的Se2-离子水溶液；

步骤2，薄膜沉积；

在室温下，将清洗后的基片放置在沉积容器中，将等体积的Sn2+离子水溶液和Se2-离子水溶液加入到沉积容器中，20min后取出基片，用去离子水淋洗完成一次薄膜沉积；反复沉积5–10次得到沉积薄膜；

步骤3，薄膜晶化；

沉积薄膜在100oC下干燥1h，或用25–40W紫外灯照射2–3h后得到晶化的Bi掺杂SnSe/rGO复合物薄膜，得到的薄膜中Se/Sn真实摩尔比＜1，薄膜中Bi实际掺杂量在0-2.54at.％间。

2.根据权利要求1所述的Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜制备方法，其特征在于，步骤1中，将硼氢酸钾和硒粉溶于去离子水中经还原反应后制备得到Se2-离子浓度为

0.019mol/L的Se2-离子水溶液。

3.根据权利要求1所述的Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜制备方法，其特征在于，步骤2中，基片采用玻璃基片，并通过洗涤剂和乙醇超声洗涤，然后垂直置于沉积容器中。

4.Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜，其特征在于，由权利要求1–3中任意一项所述的制备方法制得。