1.一种切割石墨烯薄膜的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤(1)、铜基底的氧化

将化学气相沉积法制备得到的铜基石墨烯放入管式炉中，空气气氛下温度加热至180℃～220℃并保温24～48小时后，自然降温至常温；经过氧化，铜基石墨烯在铜与石墨烯两者之间生长有一层纳米级厚度的致密连续的铜氧化层，构成石墨烯/铜氧化层/铜三明治结构；

步骤(2)、石墨烯保护涂层的制备

将导电银浆均匀涂覆在上述三明治结构中石墨烯的表面，然后将干燥后的铜箔附着在银浆表面，确保导电银浆和铜箔结合良好；

步骤(3)、铜氧化层和石墨烯的去除

将稀盐酸涂覆在步骤(2)处理后的石墨烯/铜氧化层/铜结构的表面，然后对石墨烯/铜氧化层/铜的表面进行外部机械摩擦，铜氧化层被盐酸溶解去除，同时随着铜氧化层的溶解去除，在摩擦力的作用下附着在其上面的石墨烯也被去除；

步骤(4)、石墨烯保护层的去除

将步骤(3)的产物置于丙酮中浸泡3～5小时，去除导电银浆，获得切割后的石墨烯。

2.如权利要求1所述的一种切割石墨烯薄膜的方法，其特征在于：导电银浆在石墨烯表面的图案与最终切割后石墨烯的图案一致。

3.如权利要求1所述的一种切割石墨烯薄膜的方法，其特征在于：稀盐酸的质量分数为

0.1～0.5％。

4.如权利要求1所述的一种切割石墨烯薄膜的方法，其特征在于：步骤(1)将管式炉以每分钟升温6℃的速率升温至180℃～220℃。